JAJSP66A september   2022  – may 2023 TMP1827

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. 改訂履歴
  6. 概要 (続き)
  7. デバイスの比較
  8. ピン構成および機能
  9. 仕様
    1. 8.1  絶対最大定格
    2. 8.2  ESD 定格
    3. 8.3  推奨動作条件
    4. 8.4  熱に関する情報
    5. 8.5  電気的特性
    6. 8.6  1 線式インターフェイスのタイミング
    7. 8.7  セキュリティ・エンジンの特性
    8. 8.8  EEPROM の特性
    9. 8.9  タイミング図
    10. 8.10 代表的特性
  10. 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1  電源投入
      2. 9.3.2  電力モードの切り換え
      3. 9.3.3  バス・プルアップ抵抗
      4. 9.3.4  温度結果
      5. 9.3.5  温度オフセット
      6. 9.3.6  温度アラート
      7. 9.3.7  標準デバイス・アドレス
        1. 9.3.7.1 固有の 64 ビット・デバイス・アドレスと ID
      8. 9.3.8  フレキシブル・デバイス・アドレス
        1. 9.3.8.1 不揮発性のショート・アドレス
        2. 9.3.8.2 IO ハードウェア・アドレス
        3. 9.3.8.3 抵抗アドレス
        4. 9.3.8.4 IO アドレスと抵抗アドレスの結合
      9. 9.3.9  CRC 生成
      10. 9.3.10 機能レジスタ・マップ
      11. 9.3.11 ユーザー・メモリ・マップ
      12. 9.3.12 SHA-256-HMAC 認証ブロック
      13. 9.3.13 ビット通信
        1. 9.3.13.1 ホスト書き込み、デバイス読み取り
        2. 9.3.13.2 ホスト読み取り、デバイス書き込み
      14. 9.3.14 バス速度
      15. 9.3.15 NIST トレース可能性
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 変換モード
        1. 9.4.1.1 基本ワンショット変換モード
        2. 9.4.1.2 自動変換モード
        3. 9.4.1.3 スタック変換モード
        4. 9.4.1.4 連続変換モード
      2. 9.4.2 アラート機能
        1. 9.4.2.1 アラート・モード
        2. 9.4.2.2 コンパレータ・モード
      3. 9.4.3 1 線式インターフェイス通信
        1. 9.4.3.1 バス・リセット・フェーズ
        2. 9.4.3.2 アドレス・フェーズ
          1. 9.4.3.2.1 READADDR (33h)
          2. 9.4.3.2.2 MATCHADDR (55h)
          3. 9.4.3.2.3 SEARCHADDR (F0h)
          4. 9.4.3.2.4 ALERTSEARCH (ECh)
          5. 9.4.3.2.5 SKIPADDR (CCh)
          6. 9.4.3.2.6 OVD SKIPADDR (3Ch)
          7. 9.4.3.2.7 OVD MATCHADDR (69h)
          8. 9.4.3.2.8 FLEXADDR (0Fh)
        3. 9.4.3.3 機能フェーズ
          1. 9.4.3.3.1  CONVERTTEMP (44h)
          2. 9.4.3.3.2  WRITE SCRATCHPAD-1 (4Eh)
          3. 9.4.3.3.3  READ SCRATCHPAD-1 (BEh)
          4. 9.4.3.3.4  COPY SCRATCHPAD-1 (48h)
          5. 9.4.3.3.5  WRITE SCRATCHPAD-2 (0Fh)
          6. 9.4.3.3.6  READ SCRATCHPAD-2 (AAh)
          7. 9.4.3.3.7  COPY SCRATCHPAD-2 (55h)
          8. 9.4.3.3.8  READ EEPROM (F0h)
          9. 9.4.3.3.9  GPIO WRITE (A5h)
          10. 9.4.3.3.10 GPIO READ (F5h)
      4. 9.4.4 NVM での動作
        1. 9.4.4.1 ユーザー・データのプログラミング
        2. 9.4.4.2 レジスタおよびメモリ保護
          1. 9.4.4.2.1 Scratchpad-1 レジスタの保護
          2. 9.4.4.2.2 ユーザー・メモリの保護
    5. 9.5 プログラミング
      1. 9.5.1 シングル・デバイスの温度変換と読み取り
      2. 9.5.2 複数デバイスの温度変換と読み取り
      3. 9.5.3 レジスタ Scratchpad-1 の更新とコミット
      4. 9.5.4 シングル・デバイス EEPROM のプログラミングと検証
      5. 9.5.5 シングル・デバイス EEPROM ページのロック動作
      6. 9.5.6 複数デバイスの IO 読み取り
      7. 9.5.7 複数デバイスの IO 書き込み
    6. 9.6 レジスタ・マップ
      1. 9.6.1  温度結果 LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 00h) [リセット = 00h]
      2. 9.6.2  温度結果 MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 01h) [リセット = 00h]
      3. 9.6.3  ステータス・レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 02h) [リセット = 3Ch]
      4. 9.6.4  Device Configuration-1 レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 04h) [リセット = 70h]
      5. 9.6.5  Device Configuration-2 レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 05h) [リセット = 80h]
      6. 9.6.6  ショート・アドレス・レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 06h) [リセット = 00h]
      7. 9.6.7  温度アラート低 LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 08h) [リセット = 00h]
      8. 9.6.8  温度アラート低 MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 09h) [リセット = 00h]
      9. 9.6.9  温度アラート高 LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Ah) [リセット = F0h]
      10. 9.6.10 温度アラート高 MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Bh) [リセット = 07h]
      11. 9.6.11 温度オフセット LSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Ch) [リセット = 00h]
      12. 9.6.12 温度オフセット MSB レジスタ (Scratchpad-1 オフセット = 0Dh) [リセット = 00h]
      13. 9.6.13 IO 読み取りレジスタ [リセット = F0h]
      14. 9.6.14 IO 構成レジスタ [リセット = 00h]
  11. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 バス・パワー・モードのアプリケーション
        1. 10.2.1.1 設計要件
        2. 10.2.1.2 詳細な設計手順
      2. 10.2.2 電源モードのアプリケーション
        1. 10.2.2.1 設計要件
        2. 10.2.2.2 詳細な設計手順
      3. 10.2.3 通信向けの UART インターフェイス
        1. 10.2.3.1 設計要件
        2. 10.2.3.2 詳細な設計手順
    3. 10.3 電源に関する推奨事項
    4. 10.4 レイアウト
      1. 10.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 10.4.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 用語集
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

バス・プルアップ抵抗

バス・プルアップ抵抗値の選択は、速度モードに応じて通信を行い、アプリケーションでの消費エネルギーを最小限に抑えるために重要です。抵抗値が小さすぎると、SDQ ピンの VOL 制限に違反する可能性があります。

プルアップ抵抗を選択するときは、バスのリーク電流に加えて、SDQ ピンの合計数とバスの容量を考慮してください。また、選択したプルアップ抵抗値で、標準モードおよびオーバードライブ・モードのタイミング要件に従って、信号レベルが VIH に達することも確認する必要があります。

バス・パワー・モードでは、デバイスで SDQ ピンとプルアップ抵抗を介して内部コンデンサが充電されます。SDQ ピンが Low の場合、このコンデンサの電荷はバス通信中に使用されます。熱変換や EEPROM アクセスなどの他の大電流機能では、バスはアイドル状態に保持され、デバイスがプルアップ抵抗を介して電流を引き込むことができるようにします。十分な動作マージンを確保するため、大電流動作中 SDQ ピンの電圧を維持する必要があります。VPUR ≤ 2.0V の場合は、式 1 と低インピーダンス電流パスを使用します。VPUR > 2.0V の場合は、式 2 を使用してプルアップ抵抗値を計算します。

式 1. V P U R     V O L M A X 4   ×   10 3   < R P U R < V P U R     1.6 300   ×   10 6
式 2. V P U R       V O L ( M A X ) 4   ×   10 3   <   R P U R   <   V P U R       V I H ( M I N )   I P U ( M I N )

デバイスを VDD 電源モードで使用する場合、SDQ ピンは通信のみに使用されるため、より大きなプルアップ抵抗値を使用できます。この場合、選択したプルアップ抵抗値が、必要なバス動作速度のタイミングをサポートできることを確認する必要があります。

TMP1827 などの低消費電流デバイスでは、適切なプルアップ抵抗値を選択することで、アプリケーションは、バス・パワー・モードに低インピーダンス電流パス部品を使用せずに、通信速度と電気的仕様に従ったデバイス・パラメータを維持できます。バス上に複数のデバイスがある場合は、低インピーダンス電流パスを推奨します。