JAJSWC8 March   2025 TPSI3050M

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電力定格
    6. 5.6  絶縁仕様
    7. 5.7  安全関連認証
    8. 5.8  安全限界値
    9. 5.9  電気的特性
    10. 5.10 スイッチング特性
    11. 5.11 絶縁特性曲線
    12. 5.12 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  イネーブル状態の送信
      2. 7.3.2  電力伝送
      3. 7.3.3  ゲート ドライバ
      4. 7.3.4  モードの概要
      5. 7.3.5  3 線式モード
      6. 7.3.6  2 線式モード
      7. 7.3.7  VDDP、VDDH、VDDM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      8. 7.3.8  キープオフ回路
      9. 7.3.9  電源と EN のシーケンシング
      10. 7.3.10 過熱保護
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 2 線式と 3 線式の各モードの選択
        2. 8.2.2.2 CDIV1、CDIV2 容量
        3. 8.2.2.3 RPXFR の選択
        4. 8.2.2.4 CVDDP 容量
        5. 8.2.2.5 ゲート ドライバの出力抵抗
        6. 8.2.2.6 起動時間と復帰時間
        7. 8.2.2.7 補助電流の供給、VDDM からの IAUX
        8. 8.2.2.8 VDDM リップル電圧
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
      4. 8.2.4 絶縁寿命
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DWZ|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.10 スイッチング特性

自由空気での動作温度範囲内 (特に記述のない限り)。TA = 25℃時の標準値CVDDP = 220nF、CDIV1 = CDIV2 = 3.3nF、CVDRV = 100pF、RPXFR = 7.32kΩ ±1%
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
2 線式モード
tLO_EN EN の Low 時間 5 μs
tLH_VDDH EN 立ち上がりから VDDH への 50% レベルでの伝搬遅延時間 EN = 0V→6.5V、
VVDDH = 5.0V。		 90 μs
tLH_VDRV EN 立ち上がりから VDRV への 90% レベルでの伝搬遅延時間 EN = 0V→6.5V、
VVDRV = 9.0V。		 260 μs
tHL_VDRV EN 立ち下がりから VDRV への 10% レベルでの伝搬遅延時間 EN = 6.5V→0V、
VVDRV = 1.0V。		 2.4 3 μs
tR_VDRV EN 立ち上がりから VDRV への 15%～85% レベルでの VDRV 立ち上がり時間 EN = 0V→6.5V、
VVDRV = 1.5V～8.5V		 6 ns
tF_VDRV EN 立ち下がりから VDRV への 85%～15% レベルでの VDRV 立ち下がり時間 EN = 6.5V→0V、
VVDRV = 8.5V～1.5V		 5 ns
3 線式モード
tLO_EN EN の Low 時間 VVDDP = 3.3V、定常状態。 5 μs
tHI_EN EN の High 時間 VVDDP = 3.3V、定常状態。 5 μs
tLH_VDDH VDDP 立ち上がりから VDDH への 50% レベルでの伝搬遅延時間 EN = 0V、
VVDDP = 0V→3.3V (1V/µs 時)、
VVDRV = 5.0V。		 74 μs
tLH_VDRV EN 立ち上がりから VDRV への 90% レベルでの伝搬遅延時間 VVDDP = 3.3V、
VVDDH 定常状態、
EN = 0V→3.3V、
VVDRV = 9.0V。		 3 4.5 μs
tHL_VDRV EN 立ち下がりから VDRV への 10% レベルでの伝搬遅延時間 VVDDP = 3.3V、
VVDDH 定常状態、
EN = 3.3V→0V、
VVDRV = 1.0V。		 2.5 3 μs
tHL_VDRV_PD VDDP 立ち下がりから VDRV への 10% レベルでの伝搬遅延時間。
1 次電源の電源喪失によるタイムアウト メカニズム。		 EN = 3.3V、
VVDDH 定常状態、
VVDDP =  3.3V→0V (–1V/µs 時)、
VVDRV = 1.0V。		 100 μs
tR_VDRV EN 立ち上がりから VDRV への 15%～85% レベルでの VDRV 立ち上がり時間 VVDDP = 3.3V、
VVDDH 定常状態、
EN = 0V→3.3V、
VVDRV = 1.5V ～ 8.5V。		 6 ns
tF_VDRV EN 立ち下がりから VDRV への 85%～15% レベルでの VDRV 立ち下がり時間 VVDDP = 3.3V、
VVDDH 定常状態、
EN = 3.3V→0V、
VVDRV = 8.5V ～ 1.5V。		 5 ns