JAJSSD1B August   2007  – December 2023 TRSF3223E

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Specifications
    1. 4.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 4.2  Recommended Operating Conditions
    3. 4.3  ESD Ratings
    4. 4.4  ESD Ratings - IEC Specifications
    5. 4.5  Thermal Information
    6. 4.6  Electrical Characteristics
    7. 4.7  Electrical Characteristics, Driver
    8. 4.8  Switching Characteristics, Driver
    9. 4.9  Electrical Characteristics, Receiver
    10. 4.10 Switching Characteristics, Receiver
    11. 4.11 Electrical Characteristics, Auto-Powerdown
    12. 4.12 Switching Characteristics, Auto-Powerdown
  6. 5 Parameter Measurement Information
  7. 6 Detailed Description
    1. 6.1 Functional Block Diagram
    2. 6.2 Device Functional Modes
  8. 7 Application and Implementation
    1. 7.1 Typical Application
      1. 7.1.1 Detailed Design Procedure
  9. 8 Device and Documentation Support
    1. 8.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 8.2 サポート・リソース
    3. 8.3 商標
    4. 8.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 8.5 用語集
  10. 9 Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.4 静電気放電に関する注意事項

GUID-D6F43A01-4379-4BA1-8019-E75693455CED-low.gif この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。