JAJSEM7C December   2017  – November 2019 TVS0500

PRODUCTION DATA.  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
    1.     Device Images
      1.      占有面積の比較
      2.      8/20rep%#181;sのサージ・イベントに対する電圧クランプの応答
  4. 改訂履歴
  5. Device Comparison Table
  6. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings - JEDEC
    3. 7.3 ESD Ratings - IEC
    4. 7.4 Recommended Operating Conditions
    5. 7.5 Thermal Information
    6. 7.6 Electrical Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Reliability Testing
    5. 8.5 Device Functional Modes
      1. 8.5.1 Protection Specifications
      2. 8.5.2 Minimal Derating
      3. 8.5.3 Transient Performance
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Configuration Options
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 12.2 コミュニティ・リソース
    3. 12.3 商標
    4. 12.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 12.5 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

Typical Characteristics

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Figure 1. 8/20 µs Surge Response at 43 A
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f = 1 MHz, 30 mVpp, IO to GND
Figure 3. Capacitance vs Temperature Across Bias
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Figure 5. I/V Curve Across Temperature
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Figure 7. Breakdown Voltage (1 mA) vs Temperature
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Figure 9. Dynamic Leakage vs Signal Slew Rate across Temperature
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Figure 2. 8/20 µs Surge Response at 35 A Across Temperature
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Figure 4. Leakage Current vs Temperature at 5 V
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Figure 6. Forward Voltage vs Temperature
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Figure 8. Max Surge Current (8/20 µs) vs Temperature