このリファレンスデザインは、以下のボードで構成されています。
- AC/DC と DAB コンバータ (2 つの H ブリッジ) の一部で構成される中電圧基板。
- DAB コンバータの 2 番目の部分 (1 つの H ブリッジ) で構成される低電圧基板。
- MV 基板と LV 基板で使用される 2 枚の制御カードボード (TMDSCNCD28P65X)。
- パワー FET の制御と保護に使用する 6 枚のゲート ドライバ ボード。
図 2-1 に、50kW SiC ベースのモジュール型半導体トランスの回路概略図を示します。