JAJSOI0B april   2022  – june 2023 TPSI2140-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
    1. 5.1 Pin Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Power Ratings
    6. 6.6  Insulation Specifications
    7. 6.7  Safety-Related Certifications
    8. 6.8  Safety Limiting Values
    9. 6.9  Electrical Characteristics
    10. 6.10 Switching Characteristics
  8. 7 Parameter Measurement Information
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Avalanche Robustness
    4. 8.4 Device Functional Modes
  10. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Dielectric Withstand Testing (HiPot)
      2. 9.2.2 Design Requirements
      3. 9.2.3 Design Procedure - Chassis Ground Reference
    3. 9.3 Power Supply Recommendations
    4. 9.4 Layout
      1. 9.4.1 Layout Guidelines
      2. 9.4.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 Trademarks
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

3 概要

TPSI2140-Q1 は、高電圧車載用および産業用アプリケーション向けに設計された絶縁型ソリッド・ステート・リレーです。TPSI2140-Q1 は、テキサス・インスツルメンツの高信頼性容量性絶縁技術と内蔵の双方向 MOSFET を組み合わせることにより、2 次側電源を必要としない完全に統合されたソリューションを形成しています。

デバイスの 1 次側はわずか 9mA の入力電流で電力供給され、VDD 電源に逆電力が供給される可能性を防ぐフェイルセーフ EN ピンが組み込まれています。ほとんどのアプリケーションでは、デバイスの VDD ピンを 5V～20V のシステム電源に接続する必要があり、デバイスの EN ピンを 2.1V～20V のロジック HI の GPIO 出力で駆動する必要があります。その他のアプリケーションでは、VDD ピンと EN ピンは、直接システム電源から、または GPIO 出力から一緒に駆動することができます。TPSI2140-Q1 のすべての制御構成では、フォトリレー・ソリューションで一般的に必要とされる抵抗やローサイド・スイッチなどの追加の外部コンポーネントは必要ありません。

2 次側は双方向 MOSFET で構成されており、S1 から S2 へのスタンドオフ電圧は、±1.2kV となっています。TPSI2140-Q1 MOSFET のアバランシェ堅牢性と熱を考慮したパッケージ設計により、外部コンポーネントを必要とせずに、システム・レベルの絶縁耐力試験 (HiPot) および最大 2mA の DC 高速充電器のサージ電流を堅牢にサポートできます。

パッケージ情報
部品番号 パッケージ(1) 本体サイズ (公称)
TPSI2140-Q1 SOIC 11 ピン (DWQ) 10.3mm × 7.5mm
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
GUID-20200615-SS0I-ZRWJ-LLQG-B43FBCBL3CCL-low.svgTPSI2140-Q1 アプリケーション概略回路図