JAJSOI5C June   2023  – March 2025 TLV2365-Q1 , TLV365-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. デバイス比較表
  6. ピン構成および機能
  7. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 レール ツー レール入力
      2. 7.3.2 入力および ESD 保護
      3. 7.3.3 容量性負荷の駆動
      4. 7.3.4 アクティブ フィルタ
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 オーバードライブ復帰性能
      2. 8.1.2 0V の出力レベルを達成する
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 2 次ローパス フィルタ
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 ADC ドライバとリファレンス バッファ
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス サポート
      1. 9.1.1 開発サポート
        1. 9.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 9.1.1.2 TINA-TI™シミュレーション ソフトウェア (無償ダウンロード)
        3. 9.1.1.3 DIP アダプタ評価基板
        4. 9.1.1.4 DIYAMP-EVM
        5. 9.1.1.5 TI のリファレンス・デザイン
        6. 9.1.1.6 Analog Filter Designer
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

代表的特性

at TA = 25°C、VS = 5 V、RL = 10 kΩ、およびゲイン = 1 V/V (特に記述のない限り)

TLV365-Q1 TLV2365-Q1 開ループ ゲインおよび位相と周波数との関係
 
図 6-1 開ループ ゲインおよび位相と周波数との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 オフセット電圧の生産分布
70000 ユニット、μ= 9.3 μ V、σ= 320 μ V
図 6-3 オフセット電圧の生産分布
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 入力バイアス電流と温度との関係
40 ユニット
図 6-5 入力バイアス電流と温度との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 出力電圧と出力電流との関係
VS = ±2.75V
図 6-7 出力電圧と出力電流との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 周波数応答と出力電圧との関係
 
図 6-9 周波数応答と出力電圧との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 小信号応答と容量性負荷との関係
 
図 6-11 小信号応答と容量性負荷との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 0.1Hz~10Hz の入力電圧ノイズ
 
図 6-13 0.1Hz~10Hz の入力電圧ノイズ
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 入力電流ノイズ スペクトル密度
 
 
図 6-15 入力電流ノイズ スペクトル密度
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 小信号ステップ応答
RL = 600Ω
図 6-17 小信号ステップ応答
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 オーバードライブ復帰時間
VS = ±2.75V
図 6-19 オーバードライブ復帰時間
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 開ループの電圧ゲインと出力電圧との関係
VS = ±2.75V
図 6-21 開ループの電圧ゲインと出力電圧との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 電源および同相除去比
 
図 6-2 電源および同相除去比
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 オフセット電圧ドリフトの分布
40 ユニット、μ= 0.06 μ V/°C、σ= 0.4 μ V/°C
図 6-4 オフセット電圧ドリフトの分布
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 入力バイアス電流と同相電圧との関係
40 ユニット
図 6-6 入力バイアス電流と同相電圧との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 短絡電流と温度との関係
20 ユニット
図 6-8 短絡電流と温度との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 小信号周波数応答とゲインとの関係
 
図 6-10 小信号周波数応答とゲインとの関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 全高調波歪 + ノイズと周波数との関係
RL = 600Ω
図 6-12 全高調波歪 + ノイズと周波数との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 入力電圧ノイズ スペクトル密度
 
図 6-14 入力電圧ノイズ スペクトル密度
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 オーバーシュートと容量性負荷との関係
ゲイン ≠ 1V/V の場合、RF = 1 kΩ です
ゲイン = 1V/V の場合、RF = 0 Ω です
図 6-16 オーバーシュートと容量性負荷との関係
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 大信号ステップ応答
RL = 600Ω
図 6-18 大信号ステップ応答
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 開ループ出力インピーダンス
 
図 6-20 開ループ出力インピーダンス
TLV365-Q1 TLV2365-Q1 非反転入力を基準とする電磁干渉除去比 (EMIRR+) と周波数との関係
 
図 6-22 非反転入力を基準とする電磁干渉除去比 (EMIRR+) と周波数との関係