JAJSS17 March   2025

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 SNS タイミング特性
    7. 6.7 スイッチング特性
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 ピンの電流および電圧の規則
      2. 7.3.2 低電力モード
      3. 7.3.3 高精度電流センス
      4. 7.3.4 調整可能な電流制限
      5. 7.3.5 誘導性負荷のスイッチオフ クランプ
      6. 7.3.6 故障検出および報告
        1. 7.3.6.1 診断イネーブル機能
        2. 7.3.6.2 電流センスのマルチプレクシング
        3. 7.3.6.3 異常検出出力
        4. 7.3.6.4 フォルト表
      7. 7.3.7 全診断機能
        1. 7.3.7.1 GND への短絡および過負荷の検出
        2. 7.3.7.2 オープン負荷の検出
          1. 7.3.7.2.1 チャネル オン
          2. 7.3.7.2.2 チャネル オフ
        3. 7.3.7.3 バッテリへの短絡の検出
        4. 7.3.7.4 逆極性およびバッテリ保護
        5. 7.3.7.5 サーマル故障検出
          1. 7.3.7.5.1 過熱保護動作
      8. 7.3.8 全保護機能
        1. 7.3.8.1 UVLO 保護
        2. 7.3.8.2 GND 喪失保護
        3. 7.3.8.3 電源喪失保護
        4. 7.3.8.4 バッテリ逆極性保護
        5. 7.3.8.5 MCU I/O の保護
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 作業モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 EMC 過渡外乱テスト
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.5.2 レイアウト例
        1. 8.5.2.1 GND ネットワークなし
        2. 8.5.2.2 GND ネットワークあり
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

7.3.8.5 MCU I/O の保護

負の ISO パルスや、誘導性負荷付きバッテリの損失など、多くの条件において、デバイスの GND ピンに負の電位が生じて、MCU の I/O ピン (一般的に、ピンに接続された内部回路) が損傷する可能性があります。そのため、MCU と HSS との間に直列抵抗が必要です。

また、GND の損失に対して適切な保護をするために、TI は RPROT 抵抗に 10kΩ 抵抗をお勧めします。

TPS2HC120-Q1 MCU I/O 保護図 7-23 MCU I/O 保護