JAJSVT1H March   2010  – December 2024 CSD17510Q5A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3概要
  5. 4Electrical Characteristics
  6. 5Thermal Characteristics
  7. 6Typical MOSFET Characteristics
  8. 7Device and Documentation Support
    1. 7.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 7.2 Documentation Support
      1. 7.2.1 Related Documentation
    3. 7.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 7.4 サポート・リソース
    5. 7.5 商標
    6. 7.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 7.7 用語集
  9. 817
  10. 9Mechanical Data

3 概要

NexFET™ パワー MOSFET は、電源変換アプリケーションの損失を最小限に抑えるように設計されています。

CSD17510Q5A 上面図上面図
製品概要
VDS ドレイン - ソース間電圧 30 V
Qg ゲートの合計電荷 (4.5V) 6.4 nC
Qgd ゲート電荷、ゲート - ドレイン間 1.9 nC
RDS(on) ドレイン - ソース間オン抵抗 VGS = 4.5V 5.4 mΩ
VGS = 10V 4.1 mΩ
VGS(th) スレッショルド電圧 1.5 V

注文情報
デバイス パッケージ メディア 数量 Ship (配送)
CSD17510Q5A SON 5mm×6mmプラスチック パッケージ 13インチ リール 2500 テープ アンド リール

絶対最大定格
TA = 25℃ (特に記述のない限り) 値 単位
VDS ドレイン - ソース間電圧 30 V
VGS ゲート - ソース間電圧 ±20 V
ID 連続ドレイン電流、TC = 25℃ 55 A
連続ドレイン電流(1) 20 A
IDM パルス ドレイン電流、TA = 25℃(2) 129 A
PD 消費電力(1) 3 W
TJ、TSTG 動作時の接合部温度、保存温度 -55～150 ℃
EAS アバランシェ エネルギー、単一パルス
ID = 54A、L = 0.1mH、RG = 25Ω		 146 mJ
(1) 厚さ 0.06 インチ (1.52mm) の FR4 PCB 上にある 1 平方インチ (6.45cm2)、2 オンス (厚さ 0.071mm) の Cu パッドで、標準 RθJA = 41℃/W。
(2) パルス幅 ≤ 300μs、デューティ サイクル ≤ 2%
CSD17510Q5A スペース調整用のテキスト RDS(on) と VGS との関係 RDS(on) と VGS との関係
CSD17510Q5A スペース調整用のテキスト ゲート電荷 ゲート電荷