JAJSWL9J August   2006  – May 2025 TLE4275-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 タイミング図
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 パワー グッド リセット (RESET)
      2. 7.3.2 可変パワー グッド リセット遅延タイマ (DELAY)
        1. 7.3.2.1 可変パワー グッド リセット遅延の設定
      3. 7.3.3 低電圧誤動作防止
      4. 7.3.4 電流制限
      5. 7.3.5 サーマル シャットダウン
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 通常動作
      2. 7.4.2 ドロップアウト動作
      3. 7.4.3 ディセーブル
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 入力および出力コンデンサの選択
        1. 8.1.1.1 従来のチップ コンデンサの選択
        2. 8.1.1.2 新しいチップ コンデンサの選択
          1. 8.1.1.2.1 出力コンデンサ
          2. 8.1.1.2.2 入力コンデンサ
      2. 8.1.2 ドロップアウト電圧
      3. 8.1.3 逆電流
      4. 8.1.4 消費電力 (PD)
        1. 8.1.4.1 放熱性能と銅の面積との関係
        2. 8.1.4.2 消費電力と周囲温度との関係
      5. 8.1.5 推定接合部温度
      6. 8.1.6 可変パワー グッド リセット遅延の設定
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 入力コンデンサ
        2. 8.2.2.2 出力コンデンサ
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス サポート
      1. 9.1.1 デバイスの命名規則
      2. 9.1.2 開発サポート
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

代表的特性

従来のチップ:TA = 25°C、新しいチップ:TJ =–40°C ~ 150°C、VIN = 13.5V、IOUT = 100µA、COUT = 2.2µF、1mΩ< C OUT ESR < 2 Ω、および CIN = 1µF で規定 (特に記述のない限り)

TLE4275-Q1 出力電圧と接合部温度との関係 (従来のチップ)
VIN = 6V
図 5-3 出力電圧と接合部温度との関係
(従来のチップ)
TLE4275-Q1 精度と温度との関係 (新しいチップ)
 
図 5-5 精度と温度との関係 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 出力ライン レギュレーションと VIN (新しいチップ) との関係
VOUT = 5V、IOUT = 150mA
図 5-7 出力ライン レギュレーションと VIN (新しいチップ) との関係
TLE4275-Q1 ライン レギュレーションと VIN との関係 (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 1mA
図 5-9 ライン レギュレーションと VIN との関係 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 100mA でのライン レギュレーション (新しいチップ)
COUT = 10nF、VOUT = 5V
図 5-11 100mA でのライン レギュレーション (新しいチップ)
TLE4275-Q1 出力電流と結合部温度との関係 (従来のチップ)
 
図 5-13 出力電流と結合部温度との関係
(従来のチップ)
TLE4275-Q1 消費電流と出力電流 (従来のチップ) との関係
VI = 13.5V
図 5-15 消費電流と出力電流
(従来のチップ) との関係
TLE4275-Q1 100mA のグランド電流 (新しいチップ)
 
図 5-17 100mA のグランド電流 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 ドロップアウト電圧 (Vdo) と出力電流  (従来のチップ) との関係
TJ = 25°C
図 5-19 ドロップアウト電圧 (Vdo) と出力電流
(従来のチップ) との関係
TLE4275-Q1 ドロップアウト電圧 (VDO) と IOUT  (新しいチップ) との関係
VIN = 20V
図 5-21 ドロップアウト電圧 (VDO) と IOUT
(新しいチップ) との関係
TLE4275-Q1 遅延ピン電流と温度 (新しいチップ) との関係
VDELAY = 1V
図 5-23 遅延ピン電流と温度
(新しいチップ) との関係
TLE4275-Q1 RESET (PG) スレッショルドと温度 (新しいチップ) との関係
 
図 5-25 RESET (PG) スレッショルドと温度
(新しいチップ) との関係
TLE4275-Q1 電源リップル除去と周波数との関係 (従来のチップ)
VIN = 13.5V、ILoad = 200mA、COUT = 22µF
図 5-27 電源リップル除去と周波数との関係 (従来のチップ)
TLE4275-Q1 電源リップル除去と周波数と IOUT との関係 (新しいチップ)
COUT = 10µF (X7R 50V)、VOUT = 5V
図 5-29 電源リップル除去と周波数と IOUT との関係 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 ノイズ電圧 (新しいチップ)
COUT = 10µF (X7R 50V)、VOUT = 5V
図 5-31 ノイズ電圧 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 熱抵抗と銅ランド パッド面積との関係 (JEDEC 51-3 Low-K ボード) (従来のチップ)
 
図 5-33 熱抵抗と銅ランド パッド面積との関係 (JEDEC 51-3 Low-K ボード) (従来のチップ)
TLE4275-Q1 ESR 安定性と負荷電流 (従来のチップ) との関係
 
図 5-35 ESR 安定性と負荷電流 (従来のチップ) との関係
TLE4275-Q1 安定性、ESR と COUT との関係 (新しいチップ)
 
 
図 5-37 安定性、ESR と COUT との関係 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 ライン過渡応答 (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 100mA、VIN = 5.5V ~ 6.5V、
立ち上がり時間 = 1µs
図 5-39 ライン過渡応答 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷過渡、無負荷から 100mA 立ち上がりエッジへ (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 0mA ~ 100mA、スルー レート = 1A/µs、
COUT = 10µF
図 5-41 負荷過渡、無負荷から 100mA 立ち上がりエッジへ (新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷過渡、45mA から 105mA 立ち上がりエッジへ (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 45mA ~ 105mA、スルー レート = 0.1A/µs、
COUT = 10µF
図 5-43 負荷過渡、45mA から 105mA 立ち上がりエッジへ
(新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷過渡、無負荷から 150mA 立ち上がりエッジへ (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 0mA ~ 150mA、スルー レート = 1A/µs、COUT = 10µF
図 5-45 負荷過渡、無負荷から 150mA 立ち上がりエッジへ (新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷トランジェント、500mA への無負荷 (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 0mA ~ 500mA、スルー レート = 1A/µs、
COUT = 10µF
図 5-47 負荷トランジェント、500mA への無負荷
(新しいチップ)
TLE4275-Q1 静止電流と温度との関係 (新しいチップ)
VIN = VOUT + 1V、VOUT = 90% × VOUT(NOM)
図 5-49 静止電流と温度との関係 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 低電圧誤動作防止 (UVLO) スレッショルドと温度との関係 (新しいチップ)
 
図 5-51 低電圧誤動作防止 (UVLO) スレッショルドと温度との関係 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 サーマル シャットダウン (新しいチップ)
 
図 5-53 サーマル シャットダウン (新しいチップ)
TLE4275-Q1 出力電圧と接合部温度との関係 (従来のチップ)
VI = 28V
図 5-4 出力電圧と接合部温度との関係
(従来のチップ)
TLE4275-Q1 ドロップアウト電圧と入力電圧 (従来のチップ) との関係
 
図 5-6 ドロップアウト電圧と入力電圧 (従来のチップ) との関係
TLE4275-Q1 ライン レギュレーションと VIN との関係 (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 5mA
図 5-8 ライン レギュレーションと VIN との関係 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 50mA でのライン レギュレーション (新しいチップ)
COUT = 10nF、VOUT = 5V
図 5-10 50mA でのライン レギュレーション (新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷レギュレーションと IOUT との関係 (新しいチップ)
VOUT = 5V
図 5-12 負荷レギュレーションと IOUT との関係 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 消費電流と出力電流 (従来のチップ) との関係
VI = 13.5V
図 5-14 消費電流と出力電流
(従来のチップ) との関係
TLE4275-Q1 グランド電流 (IGND) と IOUT (新しいチップ) との関係
 
図 5-16 グランド電流 (IGND) と IOUT (新しいチップ) との関係
TLE4275-Q1 500µA のグランド電流 (新しいチップ)
 
図 5-18 500µA のグランド電流 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 ドロップアウト電圧 (VDO) と IOUT  (新しいチップ) との関係
VIN = 3V
図 5-20 ドロップアウト電圧 (VDO) と IOUT
(新しいチップ) との関係
TLE4275-Q1 充電電流 (ID,C) と接合部温度との関係 (従来のチップ)
VI = 13.5V、VD = 1V
図 5-22 充電電流 (ID,C) と接合部温度との関係 (従来のチップ)
TLE4275-Q1 遅延スイッチング スレッショルド対接合部温度 (従来のチップ)
VI = 13.5V
図 5-24 遅延スイッチング スレッショルド対接合部温度 (従来のチップ)
TLE4275-Q1 電源リップル除去と周波数との関係 (従来のチップ)
VIN = 13.5V、ILoad = 1mA、COUT = 22µF
図 5-26 電源リップル除去と周波数との関係 (従来のチップ)
TLE4275-Q1 電源リップル除去と周波数との関係 (従来のチップ)
VIN = 13.5V、ILoad = 400mA、COUT = 22µF
図 5-28 電源リップル除去と周波数との関係 (従来のチップ)
TLE4275-Q1 電源リップル除去と周波数との関係、VIN (新しいチップ)
COUT = 10µF (X7R 50V)、IOUT = 500mA、VOUT = 5V
図 5-30 電源リップル除去と周波数との関係、VIN (新しいチップ)
TLE4275-Q1 ノイズ電圧 (新しいチップ)
COUT = 10µF (X7R 50V)、VOUT = 3.3V
図 5-32 ノイズ電圧 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 各種デューティ サイクルの熱抵抗とパルス幅との関係 (従来のチップ)
 
図 5-34 各種デューティ サイクルの熱抵抗とパルス幅との関係 (従来のチップ)
TLE4275-Q1 ESR 安定性と負荷容量 (従来のチップ) との関係
 
図 5-36 ESR 安定性と負荷容量 (従来のチップ) との関係
TLE4275-Q1 ライン過渡応答 (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 1mA、VIN = 13.5V ~ 45V、
スルー レート = 2.7V/µs
図 5-38 ライン過渡応答 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷トランジェント、100mA への無負荷 (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 0mA ~ 100mA、スルー レート = 1A/µs、
COUT = 10µF
図 5-40 負荷トランジェント、100mA への無負荷 (新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷過渡、45mA ~ 105mA (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 45mA ~ 105mA、スルー レート = 0.1A/µs、
COUT = 10µF
図 5-42 負荷過渡、45mA ~ 105mA
(新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷トランジェント、150mA への無負荷 (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 0mA ~ 150mA、スルー レート = 1A/µs、
COUT = 10µF
図 5-44 負荷トランジェント、150mA への無負荷
(新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷過渡、150mA ~ 350mA (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 150mA ~ 350mA、スルー レート = 0.1A/µs、
COUT = 10µF
図 5-46 負荷過渡、150mA ~ 350mA
(新しいチップ)
TLE4275-Q1 負荷過渡、無負荷から 500mA 立ち上がりエッジへ (新しいチップ)
VOUT = 5V、IOUT = 0mA ~ 500mA、スルー レート = 1A/µs、
COUT = 10µF
図 5-48 負荷過渡、無負荷から 500mA 立ち上がりエッジへ (新しいチップ)
TLE4275-Q1 スタートアップ プロット突入電流
VIN = 13.5V、VOUT = 5V、IOUT = 150mA、COUT = 10µF
図 5-50 スタートアップ プロット突入電流
TLE4275-Q1 静止電流と負荷電流との関係 (新しいチップ)
 
図 5-52 静止電流と負荷電流との関係
(新しいチップ)