JAJSWR3A March   2016  – June 2025 CSD18536KTT

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特長
  3. 2アプリケーション
  4. 3説明
  5. 4仕様
    1. 4.1 電気的特性
    2. 4.2 熱に関する情報
    3. 4.3 代表的な MOSFET の特性
  6. 5デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 5.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 5.2 ドキュメントのサポート
      1. 5.2.1 関連資料
    3. 5.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 5.4 サポート・リソース
    5. 5.5 商標
    6. 5.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 5.7 用語集
  7. 6改訂履歴
  8. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報

4.1 電気的特性

(特に記述のない限り TA = 25℃)
パラメータテスト条件最小値標準値最大値単位
スタティック特性
BVDSSドレイン - ソース間電圧VGS = 0V、ID = 250μA60V
IDSSドレイン - ソース間リーク電流VGS = 0V、VDS = 48V1μA
IGSSゲート - ソース間リーク電流VDS = 0V、VGS = 20V100nA
VGS(th)ゲート - ソース間スレッショルド電圧VDS = VGS、ID = 250μA1.41.82.2V
RDS(on)ドレイン - ソース間オン抵抗VGS = 4.5V、ID = 100A1.72.2mΩ
VGS = 10V、ID = 100A1.31.6mΩ
gfs相互コンダクタンスVDS = 6V、ID = 100A312S
ダイナミック特性
Ciss入力容量VGS = 0V、VDS = 30V、ƒ = 1MHz879011430pF
Coss出力容量14101840pF
Crss帰還容量3951pF
RG直列ゲート抵抗0.71.4Ω
Qgゲートの合計電荷 (10V)VDS = 30V、ID = 100A108140nC
Qgdゲート ドレイン間のゲート電荷量14nC
Qgsゲート ソース間のゲート電荷量18nC
Qg(th)Vth でのゲート電荷量17nC
Qoss出力電荷量VDS = 30V、VGS = 0V230nC
td(on)ターンオン遅延時間VDS = 30V、VGS = 10V、
IDS = 100A、RG = 0Ω		11ns
tr立ち上がり時間5ns
td(off)ターンオフ遅延時間24ns
tf立ち下がり時間4ns
ダイオード特性
VSDダイオード順方向電圧ISD = 100A、VGS = 0V0.91.0V
Qrr逆方向回復電荷VDS= 30V、IF = 100A、
di/dt = 300A/μs		323nC
trr逆方向回復時間86ns