NESA014 march   2023

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   註冊商標
  4. 1 簡介
  5. 2 EMI 頻率範圍
  6. 3 適合高功率電網應用的被動 EMI 濾波器
  7. 4 主動 EMI 濾波器
  8. 5 廣泛的 AEF 電路
  9. 6 CM 主動濾波器電路選擇
  10. 7 電容放大的概念
  11. 8 實際 AEF 實作情況
  12. 9 實際結果
    1. 10.1 低壓測試
    2. 10.2 高壓測試
  13. 10摘要
  14. 11參考

低壓測試

圖 9-1 顯示使用 TPSF12C1-Q1 主動濾波器 IC 所實現之具有 CM 雜訊衰減的單相 AEF 電路的電路圖。此設計包含穩壓器端與電網端 Y 電容器。LISN 提供 EMI 接收器的適當介面,用於 150 kHz 至 30 MHz 的 EMI 量測。

GUID-20230314-SS0I-V4NH-2LCQ-BPWCZRW85C7Z-low.svg圖 9-1 低電壓測試設定電路圖

如 圖 9-1 所示,從函數產生器導出的方波訊號,代表方便的 CM 雜訊激發來源,而 1-nF 電容器模擬切換穩壓器的真實 CM 雜訊來源阻抗。調整來源電壓的振幅和轉換時間,這會設定適當的雜訊振幅,以及在 LISN 測到的頻譜包絡。

這種附帶訊號注入的簡單低壓測試,有助於在連接到高壓工作環境中的切換穩壓器之前,在 EMI 室中促進濾波器的安全和便利的性能表徵。

圖 9-2 顯示濾波器電路板的實作方式。圖 9-6 使用準峰值 (QP) 與平均 (AV) 雜訊偵測器,在停用並啟用 AEF 時呈現 EMI 結果。如 圖 9-6 所示,AEF 在低頻率範圍 (100 kHz 至 3 MHz) 下提供最高 30 dB 的 CM 雜訊衰減,讓濾波器能夠透過兩個 2-mH 奈米晶扼流器,實現與具兩個 12-mH 扼流器的被動式濾波器設計相等的 CM 衰減性能。

GUID-20230314-SS0I-6KXQ-CT1D-C1FJPJX7CTCL-low.svg圖 9-2 採用 AEF 的單相濾波器實作
GUID-20230314-SS0I-T8RW-RRT8-RKLDFDDXGHXV-low.svg圖 9-3 AEF 停用與起用下的 EN 55032 B 類 EMI 結果