La adopción de MOSFET de carburo de silicio en aplicaciones de alta tensión es prometedora, ya que permite lograr una mayor eficiencia y compactabilidad para los sistemas. En comparación con los IGBT, los MOSFET de SiC cuentan con requisitos de protección de cortocircuitos más estrictos. En esta capacitación, se abordarán los diferentes tipos de fallas producidas por cortocircuitos, métodos de protección contra cortocircuitos, las características y comportamientos frente a cortocircuitos de los MOSFET de SiC, y los requisitos del controlador de compuerta para la protección de cortocircuitos presente en estos dispositivos.