Página principal
Videoteca

Robust Gate Driver Solution for High-Power-Density xEV Chargers using Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

00:27:08 | 18 SEP 2018

xEV Chargers can achieve high efficiency and high power density by using SiC MOSFETs. This presentation will cover the SiC MOSFET characteristics, its advantages, and why to use it for xEV chargers. The video will also provide an introduction of TIDA-01604 Design.

Medios

  • downloadPresentación
  • arrow-right Learn more about TI's SiC product portfolio
download

Explorar videos

Ver todos los videos
Ver todos los videos
Productos
  • Administración de potencia
  • Aislamiento
  • Amplificadores
  • Audio, háptica y piezoeléctrica
  • Conectividad inalámbrica
  • Controladores para motores
  • Convertidores de datos
  • Interfaz
  • Interruptores y multiplexores
  • Lógica y traducción de voltaje
  • Microcontroladores (MCU) y procesadores
  • Productos DLP
  • Radiofrecuencia y microondas
  • Relojes y sincronización
  • Sensores
  • Soluciones de chip y oblea
Aplicaciones
  • Automotriz
  • Equipos de comunicación
  • Centro de datos
  • Industrial
  • Electrónica personal