Seleccionar el controlador de puerta aislada adecuado para su transitor de efecto de campo (FET) de carburo de silicio (SiC) necesita más atención de la que podría creer.

Las estaciones de carga de CC de alta eficiencia desempeñan un papel importante a la hora de cumplir con los requisitos de carga rápida de los nuevos vehículos eléctricos. Los FET de SiC y los FET de GaN respaldan en gran medida estos objetivos de eficiencia, pero cuando se trata de seleccionar el controlador de puerta aislado adecuado para los FET de SiC, se necesita una nueva forma de pensar.

Durante esta sesión, analizamos lo siguiente:

• Aspectos clave de los controladores de compuerta aislados que conducen a los FET de SiC: fuerza de accionamiento de compuerta, retardo de propagación, etc., al centrarse en el panorama de funciones de protección integradas como protección contra sobrecorriente (OCP)/DESAT, abrazadera Miller, apagado suave o apagado de 2 niveles. 
• La importancia de una tensión óptima de accionamiento de compuerta, ayudando a evitar eventos de disparo o a mejorar la eficiencia general del convertidor.

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Nuestro orador, Johannes Konert, ingeniero de aplicaciones de campo de Texas Instruments , trabaja como ingeniero principal de aplicaciones de campo para Texas Instruments. Después de recibir su diploma en Ingeniería Eléctrica (FH Bielefeld 1992), trabajó por más de 13 años como diseñador de fuentes de alimentación conmutadas (SMPS). Se incorporó a TI en abril de 2006 como ingeniero de aplicaciones de campo (FAE) de administración de potencia, y hoy es miembro de la Tech-Ladder (MGTS) dentro de la organización de aplicaciones y ventas, EMEA.

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¿Se está volviendo demasiado complicado? Si desea participar en el seminario web, pero necesita más información básica, le recomendamos que vea nuestro breve video “Descripción general de las topologías de potencia para cargadores EV de CC”