シリコン カーバイド MOSFET のゲート ドライバと短絡保護：理由と方法
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2024 年 12 月 10 日
シリコン カーバイド MOSFET は、より効率的でコンパクトなシステムを実現する高電圧アプリケーションの有力な候補と考えられています。IGBT と比較すると、SiC MOSFET は短絡保護の要件が厳格になっています。このトレーニングでは、さまざまな障害タイプの短絡状態、短絡保護方式、SiC MOSFET の特性と短絡動作、SiC MOSFET の短絡保護のゲート ドライバ要件について説明します。