eFuse を使用した過電圧保護と突入電流保護
00:02:58
|
2024 年 12 月 10 日
入力電力保護として、ダイオード、パワー MOSFET、バイポーラ ジャンクション トランジスタ (BJT) の組み合わせを使用していますか。応答時間を高速化し、放熱性能を改善する機会を失っている可能性が高いでしょう。この簡潔な概要をご覧になり、堅牢性の高い設計のために UL 認証済みの eFuse IC が最善の選択肢になる可能性がある理由を確認してください。