『EV の DC 高速充電アプリケーションへの絶縁型ゲート ドライバの使用について』ウェビナー

シリコン カーバイド (SiC) に適した絶縁型ゲート ドライバを選定する際には、想像以上に注意を払う必要があります。

高効率の DC 充電ステーションは、新車の電気自動車に求められる高速充電要件に対応するうえで重要な役割を果たします。SiC FET と GaN FET は効率に関する目標に大きく貢献しますが、SiC FET に適した絶縁型ゲート ドライバを選定する際には、新しい考え方を取り入れる必要があります。

このセッションでは、以下の内容について説明します。

• SiC FET を駆動する絶縁型ゲート ドライバに関する重要な注意事項 (ゲート ドライブの強度、伝搬遅延など)。さらに、OCP/DESAT、ミラー クランプ、ソフト ターン オフ、2 レベル ターン オフなど、内蔵型の保護機能にも注目します。  
• 貫通電流イベントの防止やコンバータ全体の効率の向上に役立つ、最適なゲート ドライブ電圧の重要性。

                                                                                                                                                                                                                     。

話し手であるテキサス・インスツルメンツのフィールド アプリケーション エンジニア、Johannes Konert は、テキサス・インスツルメンツのプリンシパル フィールド アプリケーション エンジニアを務めています。 電力工学の学位を取得 (ビーレフェルト専門大学、1992 年) した後、SMPS の設計者として 13 年以上勤務しています。2006 年 4 月にパワー マネージメント FAE として TI に入社し、現在は EMEA のセールスおよびアプリケーション組織内の Tech-ladder (上級技術職) の一員 (MGTS) となっています。

                                                                                                                                                                                       。

不明な点がある場合 ウェビナーへの参加をご希望で、詳細な背景情報を必要とされる方は、『DC EV チャージャの電源トポロジの概要』という短いビデオをご覧になることをお勧めします。