次世代を担う半導体製造施設を米国テキサス州リチャードソンで建設
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2025 年 02 月 05 日
米国テキサス州リチャードソンにある TI の最新 300mm ウェハー ファブが、初期生産を開始しました。エレクトロニクス市場における半導体の将来の成長に対応するために、今後数か月にわたって生産規模を拡大します。RFAB2 は RFAB1 に隣接しており、社内での製造キャパシティを長期的に拡大することを目指す TI の方針の一環として増設される 6 棟箇所の新しい 300mm ウェハー ファブの 1 つです。