650V の GaN デバイスは、同等の Si デバイスと比べて、スイッチング損失が低く、より高い周波数でのスイッチングが可能です。TI の GaN 製品では、寄生成分が最小化され、高出力設計が容易な内蔵型ゲート ドライバを組み込むことで、これらの性能をさらに向上させています。LMG3522 ファミリに属する TI の最新の各種上面冷却 GaN デバイスが含まれています。このデバイスは付加的に、保護機能とパワー マネージメント機能も搭載しています。TI の C2000™ コントローラと TI のデジタル アイソレータによって、デッドタイムを最小限に抑え、高度な制御を実現しています。