SiC(실리콘 카바이드) FET에 맞는 올바른 절연 게이트 드라이버를 선택하는 것에는 생각보다 더 많은 주의가 필요합니다.

고효율 DC 충전소는 새로운 전기 자동차의 빠른 충전 요구 사항을 지원하는 데 중요한 역할을 합니다. SiC FET 및 증폭기, GaN FET는 이러한 효율성 목표에 큰 도움이 되지만 SiC FET에 적합한 절연 게이트 드라이버를 선택하는 데에는 새로운 사고 방식이 필요합니다.

이 세션에서 논의한 내용은 다음과 같습니다.

• SiC FET를 구동하는 절연 게이트 드라이버의 주요한 주의 사항: 게이트 드라이브 강도, 전파 지연 등을 OCP/DESAT, 밀러 클램프, 소프트 끄기 또는 2레벨 끄기 같은 통합 보호 기능의 환경에 초점을 맞추면서 살펴봅니다. 
• 최적의 게이트 드라이브 전압은 슛스루 이벤트 이벤트를 방지하고 전체 컨버터 효율성을 개선하는 데 중요합니다.

                                                                                                                                                                                                                     .

발표자인 텍사스 인스트루먼트 현장 애플리케이션 엔지니어 Johannes Konert는 텍사스 인스트루먼트의 수석 현장 애플리케이션 엔지니어로 일하고 있습니다. 전력 공학(FH Bielefeld 1992)에서 학위를 받은 후 13년 넘게 SMPS 설계자로 일했으며 2006년 4월 전력 관리 FAE로 TI에 합류하여 현재 EMEA 영업 및 증폭기 애플리케이션 조직의 MGTS(기술 래더 회원)입니다.

                                                                                                                                                                                       .

일이 너무 복잡해지고 있습니까? 웨비나에 참가하고 싶지만 배경 정보가 더 필요할 경우, 짧은 비디오인 'DC EV 충전기를 위한 전력 토폴로지 개요'를 시청하는 것이 좋습니다.