사람들은 점점 더 작은 장치에서 더 저렴한 비용에 더 강력한 파워와 보다 우수한 성능을 누리기를 기대하고 있습니다. GaN(질화 갈륨) 반도체는 전력전자에 추진력을 제공합니다. 데이터 센터를 보다 에너지 효율적으로 만들고, 재생 에너지원의 보급을 가능하게 만들고, 소비자 가전제품이 환경에 미치는 영향을 줄이는 데 기여합니다. TI는 10여 년간  GaN의 혁신을 최전방에서 이끌고 있습니다. 최초의 10kW 클라우드 기반 GaN 그리드 링크부터 최초의 일체형 드라이버가 포함된 상단면 냉각 GaN FET까지, TI의 고집적 GaN IC는 고전압 시스템을 이용한 설계를 빠르고, 단순하고, 안전하게 만들고 있습니다. 전력전자의 차세대 혁명은 이미 시작되었습니다. TI GaN으로 주도권을 잡으세요. Texas Instruments. 고전압의 막강한 파워를 활용하세요.