LMG3522EVM-042 LMG3522R030-Q1 automotive 650-V 30-mΩ GaN FET with integrated driver daughter card angled board image

LMG3522EVM-042

LMG3522R030-Q1 – GaN FET, 650 V, 30 mΩ, integrierte Treibertochterkarte, für die Automobilindustrie

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Merkmale von LMG3522EVM-042

  • Eingangsspannungsbereich bis 650 V
  • Einfaches Open-Loop-Design für die Evaluierung der Leistung des LMG3522R030-Q1
  • Single/Dual-PWM-Eingang auf der Platine für PWM-Signal mit variabler Totzeit
  • Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutzfunktion
  • Komfortable Tastkopfpunkte für Logik- und Leistungsstufenmessungen mit Oszilloskop-Tastköpfen mit kurzer Massefeder

Beschreibung von LMG3522EVM-042

Das LMG3522EVM-042 konfiguriert zwei LMG3522R030 GaN-FETs in einer Halbbrücke mit Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz, Latch-Kurzschlussschutz und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen. Dieses EVM ist für den Betrieb mit größeren Systemen ausgelegt.

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