TPS51200EVM TPS51200 Sink Source DDR Termination Regulator angled board image

TPS51200EVM

Regulador de terminador DDR de fuente/disipador TPS51200

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Características para TPS51200EVM

  • Tensión de entrada: Admite carril de 2.5 V y carril de 3.3 V
  • Rango de tensión de VLDOIN, VDDQ: 1.2 V-2.5 V
  • Interruptores de carga transitoria integrados (con capacidad de disipación y abastecimiento) para emular el comportamiento transitorio de disipador/fuente que ayuda a evaluar el rendimiento dinámico. Para facilitar el uso, las resistencias integradas pueden modificar tanto el paso de carga como el tiempo de los transitorios, y la información de la corriente también se puede supervisar a bordo.
    • DDR: +/-1.67 A Carga transitoria de fuente/disipador
    • DDR2: +/-1.2 A Carga transitoria de fuente/disipador
    • DDR3: +/-1.0 A Carga transitoria de fuente/disipador
    • LP DDR3: +/-0.8 A Carga transitoria de fuente/disipador
  • Conmutador S1 para la función de activación
  • Puntos de prueba convenientes para probar PGOOD, CLK_IN y pruebas de respuesta de bucle
  • PCB de 2 capas con todos los componentes en el lado inferior

Descripción de TPS51200EVM

La placa de evaluación TPS51200EVM, HPA322A está diseñada para evaluar el rendimiento y las características del regulador de terminación VTT DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 de TI, el TPS51200. El TPS51200 está diseñado para proporcionar una tensión de terminación adecuada y una tensión de referencia con búfer de 10 mA para memoria DDR que cubre especificaciones DDR (2.5 V/0.9 V), DDR2 (1.8 V/1.25 V), DDR3 (1.5 V/0.75 V), LP DDR3 (1.2 V/0.6 V) con componentes externos mínimos.

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