LM74610-SQEVM の特徴
- MOSFET のドレイン - ソース間電圧の最大入力電圧：40V
- 動的電流の反転に対する高速応答は 10μs 未満
- MOSFET のドレイン - ソース間電圧の最大入力電圧：40V
- 最大負荷電流はドレイン電流 (Id) に等しい値：75A
- ゼロ静止電流と、小さい逆リーケージ電流
- 車載の ISO7637 と CISPR25 の各要件に適合
LM74610-SQEVM に関する概要
LM74610-SQEVM 評価基板は、複数のショットキー・ダイオードや複数の P チャネル MOSFET を置き換えて逆極性保護を実現する方法を提示します。この逆極性保護ソリューションは、LM74610 スマート・ダイオード・コントローラを使用して、40V (VDS) に対応する外部の N チャネル MOSFET にゲート駆動信号を供給しています。LM74610-SQEVM は、電源と直列接続する場合、理想ダイオードの特性をエミュレートすることになります。入力側で負電圧をセンスした場合、LM74610 は MOSFET のゲートをプルダウンし、接続先の負荷を電源から絶縁します。TVS (負荷電圧サプレッサ) の電圧クランプ・ダイオードである D1_1 と D1_2 は、ISO7637 の過渡パルス・テストを実施する際に、LM74610-SQEVM を安全な状態に保ちます。