宇宙グレードの耐放射線特性 HARDSIL™ テクノロジー512K ワード x 32 ビットの非同期 16Mb (メガビット) SRAM最大アクセス時間は読み取り 20ns、書き込み 13.8ns200μA (代表値) の超低スタンバイ電流 (ISB)エラー検出と訂正 (EDAC)自律的な補正用のスクラブ エンジン (スクラブ周波数と遅延はユーザー定義)耐放射線性能：TID = 300kRad(Si)SER (ソフト エラー レート) < 5e‐17/ビット‐日陽子アップセット飽和断面積 < 3e ‐ 16cm2/ビットラッチアップ耐性 > LET = 110MeV‐cm2/mg (T=125℃)パターンの生成と分析を行うキャプチャ ハードウェアへの直接接続
SMV512K32-CVAL は、16Mbit 非同期 SRAM メモリである TI (テキサス・インスツルメンツ) の SMV512K32-SP 1を、ENPLAS OTQ-132-0.635-01 ソケットに実装するための回路基板です。このブレイクアウト ボード (切り離しと接続が可能なボード) は、パターンの生成とキャプチャを行うハードウェアと組み合わせて使用し、16Mbit 非同期 SRAM メモリのメモリ機能を提示することができます。