UCC21220

アクティブ

ディスエーブル・ピン採用、MOSFET と GaNFET 向けの 8V UVLO 搭載、3.0kVrms、4A/6A、デュアルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 3000 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 4242 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 990 Output VCC/VDD (Max) (V) 18 Output VCC/VDD (Min) (V) 9.2 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 28 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 8
Number of channels (#) 2 Isolation rating (Vrms) 3000 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) 4242 DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) 990 Output VCC/VDD (Max) (V) 18 Output VCC/VDD (Min) (V) 9.2 Input VCC (Min) (V) 3 Input VCC (Max) (V) 5.5 Prop delay (ns) 28 Operating temperature range (C) -40 to 125 Undervoltage lockout (Typ) 8
SOIC (D) 16 59 mm² 9.9 x 6
  • 基本および機能絶縁をサポート
  • 100V/ns を超える CMTI
  • ピーク・ソース 4A、ピーク・シンク 6A の出力
  • スイッチング・パラメータ
    • 最大伝搬遅延:40ns
    • 最大遅延ばらつき:5ns
    • 最大パルス幅歪み:5.5ns
    • 最大 VDD 電源オン遅延:35µs
  • 最高 18V の VDD 出力駆動電源
    • 5V および 8V VDD UVLO オプション
  • 動作温度範囲 (TA):-40℃~125℃
  • ナローボディ SOIC-16 (D) パッケージ
  • 5ns 未満の入力パルスを除去
  • TTL および CMOS 互換の入力
  • 安全関連の認定
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01 および DIN EN 61010-1 に従い 4242VPK の絶縁 (予定)
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:3000VRMS (1 分間)
    • GB4943.1-2011 準拠の CQC 認定 (予定)
  • 基本および機能絶縁をサポート
  • 100V/ns を超える CMTI
  • ピーク・ソース 4A、ピーク・シンク 6A の出力
  • スイッチング・パラメータ
    • 最大伝搬遅延:40ns
    • 最大遅延ばらつき:5ns
    • 最大パルス幅歪み:5.5ns
    • 最大 VDD 電源オン遅延:35µs
  • 最高 18V の VDD 出力駆動電源
    • 5V および 8V VDD UVLO オプション
  • 動作温度範囲 (TA):-40℃~125℃
  • ナローボディ SOIC-16 (D) パッケージ
  • 5ns 未満の入力パルスを除去
  • TTL および CMOS 互換の入力
  • 安全関連の認定
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01 および DIN EN 61010-1 に従い 4242VPK の絶縁 (予定)
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧:3000VRMS (1 分間)
    • GB4943.1-2011 準拠の CQC 認定 (予定)

UCC21220 および UCC21220A デバイスは、ピーク・ソース電流 4A、ピーク・シンク電流 6A の基本および機能絶縁型 2 チャネル・ゲート・ドライバです。これらのデバイスは、PFC、絶縁型 DC/DC、同期整流アプリケーションのパワー MOSFET および GaNFET を駆動するよう設計されており、高速なスイッチング性能と、100V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI) による堅牢なグランド・バウンス保護機能を備えています。

これらのデバイスは、2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、ハーフブリッジ・ドライバのいずれかとして構成できます。出力の遅延ばらつきが非常に小さいため、2 つの出力を並列接続することで、重負荷条件用に駆動能力を 2 倍にした 1 つのドライバを構成できます。

保護機能には以下が含まれます。DIS ピンを High に設定すると 2 つの出力が同時にシャットダウンされます。INA/B ピンでは、5ns 未満の入力過渡が除去されます。入力と出力はどちらも –2V のスパイクに 200ns の間耐えます。全電源が低電圧誤動作防止 (UVLO) を備えています。電力が供給されていない場合またはフローティング状態の場合、アクティブ・プルダウン保護により出力が 2.1V 未満にクランプされます。

これらの機能により、広範な電力アプリケーションにおいて高効率、高電力密度、高い堅牢性を実現します。

UCC21220 および UCC21220A デバイスは、ピーク・ソース電流 4A、ピーク・シンク電流 6A の基本および機能絶縁型 2 チャネル・ゲート・ドライバです。これらのデバイスは、PFC、絶縁型 DC/DC、同期整流アプリケーションのパワー MOSFET および GaNFET を駆動するよう設計されており、高速なスイッチング性能と、100V/ns を超える同相過渡耐性 (CMTI) による堅牢なグランド・バウンス保護機能を備えています。

これらのデバイスは、2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、ハーフブリッジ・ドライバのいずれかとして構成できます。出力の遅延ばらつきが非常に小さいため、2 つの出力を並列接続することで、重負荷条件用に駆動能力を 2 倍にした 1 つのドライバを構成できます。

保護機能には以下が含まれます。DIS ピンを High に設定すると 2 つの出力が同時にシャットダウンされます。INA/B ピンでは、5ns 未満の入力過渡が除去されます。入力と出力はどちらも –2V のスパイクに 200ns の間耐えます。全電源が低電圧誤動作防止 (UVLO) を備えています。電力が供給されていない場合またはフローティング状態の場合、アクティブ・プルダウン保護により出力が 2.1V 未満にクランプされます。

これらの機能により、広範な電力アプリケーションにおいて高効率、高電力密度、高い堅牢性を実現します。

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技術資料

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設計および開発

追加の事項や他のリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックすると、詳細ページを表示できます。

評価ボード

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TI.com で取り扱いなし
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回路図: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (D) 16 オプションの表示

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL rating / リフローピーク温度
  • MTBF/FIT 推定値
  • 原材料組成
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス・デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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