Dieses Referenzdesign beschreibt einen 3,5 kW-DC/DC-Wandler, von Hoch- bis Niedrigspannung, mit 650 V-Galliumnitrid (GaN)-Hochelektron-Mobilitätstransistoren (HEMT). Dank der Verwendung des LMG3522R030 als Primärschalter arbeitet der Wandler mit einer hohen Schaltfrequenz. In diesem Design verwendet der Wandler einen kleineren Transformator. Zur Vereinfachung der thermischen Leistung von Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) mit Active-Clamp-Technologie, verwendet der Wandler aktive Zweikanal-Klemmschaltungen.
| Ausgangsspannung – Auswahlmöglichkeiten | PMP41078.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 200 |
| Vin (Max) (V) | 450 |
| Vout (Nom) (V) | 14 |
| Iout (Max) (A) | 250 |
| Ausgangsleistung (W) | 3500 |
| Isoliert/Nicht isoliert | Isolated |
| Eingabetyp | DC |
| Topologie | Full Bridge- Phase Shifted |
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| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
|---|---|---|---|---|---|
| * | Prüfbericht | High-Voltage to Low-Voltage DC-DC Converter Reference Design With GaN HEMT (Rev. A) | PDF | HTML | 09.12.2024 | |
| Technischer Artikel | Design an active clamp circuit for rectifiers at a high switching frequency | 29.07.2025 |
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