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TMCS1133-Q1

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Hall-Effekt-Stromsensor, 1 MHz, mit AFR und ALARM, für die Automobilindustrie

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Datenblatt

TMCS1133-Q1

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Produktdetails

Continuous current (max) (A) 82 Rating Automotive Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
Continuous current (max) (A) 82 Rating Automotive Sensitivity (typ) (mV/mT) 25, 33, 50, 75, 100, 150 Input offset current (±) (max) (mA) 130, 150, 160, 180, 200 Input offset current drift (±) (typ) (µA/°C) 867, 1150, 1300, 1400, 1800, 2000 Features Alert Function, Digital output alerts MCU when current limit is reached, Externally Driven Zero Current Reference Voltage, Overcurrent protection Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 3 Small-signal bandwidth (kHz) 1000 Sensitivity error (%) 0.4 Sensitivity error drift (±) (max) (ppm/°C) 50 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Creepage (min) (mm) 8.1 Clearance (min) (mm) 8.1 Isolation rating Reinforced Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000
SOIC (DVG) 10 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to 125°C, TA
  • Functional Safety-Capable
    • Documentation available to aid functional safety system design
  • High continuous current capability: 80ARMS
  • Robust reinforced isolation
  • High accuracy
    • Sensitivity error: ±0.1%
    • Sensitivity thermal drift: ±20ppm/°C
    • Sensitivity lifetime drift: ±0.2%
    • Offset error: ±0.2mV
    • Offset thermal drift: ±10µV/°C
    • Offset lifetime drift: ±0.2mV
    • Non-linearity: ±0.1%
  • High immunity to external magnetic fields
  • Fast Response
    • Signal bandwidth: 1MHz
    • Response time: 120ns
    • Propagation delay: 50ns
    • Overcurrent detection response: 100ns
  • Operating supply range: 3V to 5.5V
  • Bidirectional and unidirectional current sensing
  • Multiple sensitivity options:
    • Ranging from 20mV/A to 150mV/A
  • Safety related certifications
    • UL 1577 Component Recognition Program
    • IEC/CB 62368-1
  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
    • Temperature grade 1: –40°C to 125°C, TA
  • Functional Safety-Capable
    • Documentation available to aid functional safety system design
  • High continuous current capability: 80ARMS
  • Robust reinforced isolation
  • High accuracy
    • Sensitivity error: ±0.1%
    • Sensitivity thermal drift: ±20ppm/°C
    • Sensitivity lifetime drift: ±0.2%
    • Offset error: ±0.2mV
    • Offset thermal drift: ±10µV/°C
    • Offset lifetime drift: ±0.2mV
    • Non-linearity: ±0.1%
  • High immunity to external magnetic fields
  • Fast Response
    • Signal bandwidth: 1MHz
    • Response time: 120ns
    • Propagation delay: 50ns
    • Overcurrent detection response: 100ns
  • Operating supply range: 3V to 5.5V
  • Bidirectional and unidirectional current sensing
  • Multiple sensitivity options:
    • Ranging from 20mV/A to 150mV/A
  • Safety related certifications
    • UL 1577 Component Recognition Program
    • IEC/CB 62368-1

The TMCS1133-Q1 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 1.4% maximum sensitivity error over temperature and lifetime with no system level calibration, or less than 0.9% maximum sensitivity error including both lifetime and temperature drift with a one-time calibration at room temperature.

AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated, on-chip, Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ±96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5kVRMS, coupled with a minimum of 8mm creepage and clearance, provides high levels of reliable lifetime reinforced working voltage. Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity.

Fixed sensitivity allows the device to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminating ratiometry errors and improving supply noise rejection.

The TMCS1133-Q1 is a galvanically isolated Hall-effect current sensor with industry leading isolation and accuracy. An output voltage proportional to the input current is provided with excellent linearity and low drift at all sensitivity options. Precision signal conditioning circuitry with built-in drift compensation is capable of less than 1.4% maximum sensitivity error over temperature and lifetime with no system level calibration, or less than 0.9% maximum sensitivity error including both lifetime and temperature drift with a one-time calibration at room temperature.

AC or DC input current flows through an internal conductor generating a magnetic field measured by integrated, on-chip, Hall-effect sensors. Core-less construction eliminates the need for magnetic concentrators. Differential Hall sensors reject interference from stray external magnetic fields. Low conductor resistance increases measurable current ranges up to ±96A while minimizing power loss and easing thermal dissipation requirements. Insulation capable of withstanding 5kVRMS, coupled with a minimum of 8mm creepage and clearance, provides high levels of reliable lifetime reinforced working voltage. Integrated shielding enables excellent common-mode rejection and transient immunity.

Fixed sensitivity allows the device to operate from a single 3V to 5.5V power supply, eliminating ratiometry errors and improving supply noise rejection.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet TMCS1133-Q1 AEC-Q100, Precision 1MHz Hall-Effect Current Sensor With Reinforced Working Voltage , Overcurrent Detection and Ambient Field Rejection datasheet (Rev. B) PDF | HTML 06 Jun 2025
Application note A Comparison of Fused Lead Frame and Non-Fused Lead Frame Variants of Hall Effect Current Sensors PDF | HTML 11 Sep 2025
Functional safety information TMCS1123-Q1, TMCS1126-Q1, TMCS1127-Q1, and TMCS1133-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. A) PDF | HTML 05 Mai 2025
Application note Using the TMCS11xx in High Electromagnetic Interference Applications PDF | HTML 06 Mär 2025
Application note Thermal Analysis of the TMCS1123 Hall-Effect Current Sensor PDF | HTML 21 Jan 2025
Certificate TMCS1133AEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 21 Aug 2023
Certificate TMCS1133BEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 21 Aug 2023
Certificate TMCS1133CEVM EU Declaration of Conformity (DoC) 21 Aug 2023

Design und Entwicklung

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Evaluierungsplatine

TMCS-A-ADAPTER-EVM — TMCS-Adapterkarte für isolierte Hall-Effekt-Stromsensoren, Gehäusetypen DVG, DVF oder DZP (IC nicht

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Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Evaluierungsplatine

TMCS1133EVM — TMCS1133 – Evaluierungsmodul

Das TMCS1133EVM Evaluierungsmodul (EVM) ist ein Tool, das den schnellen und bequemen Einsatz des TMCS1133, eines isolierten Halleffekt-Präzisionsstrommessgeräts mit interner Referenz, erleichtern soll. Dieses EVM ermöglicht es dem Benutzer, den maximalen Betriebsstrom durch die Hall-Eingangsseite (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
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Simulationsmodell

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (TMCS1133x1A)

SBOMCQ9.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133B7A)

SBOMCR4.ZIP (7 KB) - PSpice Model
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TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133B8A)

SBOMCR5.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133C9A)

SBOMCR6.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x2A)

SBOMCR0.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x3A)

SBOMCR1.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x4A)

SBOMCR2.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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TMCS1133 and TMCS1133-Q1 PSpice Transient Model (for TMCS1133x5A)

SBOMCR3.ZIP (8 KB) - PSpice Model
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Simulationsmodell

TMCS1133 and TMCS1133-Q1 TINA-TI Reference Design

SBOMCR7.ZIP (127 KB) - TINA-TI Reference Design
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Berechnungstool

CS-MAGNETIC-ERROR-TOOL-CALC — Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool

Hall-Effect Current Sensor Comparison and Error Tool
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Hall-Effekt-Stromsensoren
TMCS1100 — Hall-Effekt-Stromsensor, Basisisolierung ±600 V, 20 Arms, 80 kHz, mit externer Referenz TMCS1101-Q1 — AEC-Q100, isolierter Präzisions-Stromsensor, ±600 V, mit interner Referenz TMCS1100-Q1 — AEC-Q100, isolierter Präzisions-Stromsensor, ±600 V, mit externer Referenz TMCS1101 — Hall-Effekt-Stromsensor, Basisisolierung ±600 V, 20 Arms, 80 kHz, mit Referenz TMCS1107 — Hall-Effekt-Stromsensor, Basisisolierung ±420 V, 20 Arms, 80 kHz, mit Referenz TMCS1107-Q1 — AEC-Q100, isolierter Hall-Effekt-Stromsensor, ±420 V, mit interner Referenz TMCS1108 — Hall-Effekt-Stromsensor, Basisisolierung ±100 V, 20 Arms, 80 kHz, mit Referenz TMCS1108-Q1 — AEC-Q100, isolierter Hall-Effekt-Stromsensor, ±100 V, mit interner Referenz TMCS1123 — Hall-Effekt-Stromsensor, verstärkte Isolierung bis ±1300 V, 80 ARMS, 250 kHz, mit AFR, Referenz und TMCS1123-Q1 — AEC-Q100 Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, mit AFR und ALARM TMCS1126 — Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 500 kHz, mit AFR, Referenz und ALARM TMCS1126-Q1 — AEC-Q100-qualifizierter Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 500 kHz, mit AFR, Referenz und ALARM TMCS1127 — Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 250 kHz, mit AFR und ALARM TMCS1127-Q1 — AEC-Q100Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 250 kHz, mit AFR TMCS1133 — Hall-Effekt-Stromsensor, 80 ARMS, 1 MHz, mit AFR und ALARM TMCS1133-Q1 — Hall-Effekt-Stromsensor, 1 MHz, mit AFR und ALARM, für die Automobilindustrie TMCS1143 — 125ARMS 250kHz Hall-effect current sensor with AFR, reference, OCP and ALERT TMCS1148 — Hall-Effekt-Stromsensor, 125 ARMS, 500 kHz, mit OCP, Referenz und AFR
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Referenzdesigns

PMP41078 — Referenzdesign eines DC/DC-Wandlers für hohe und niedrige Spannungen mit GaN HEMT

Dieses Referenzdesign beschreibt einen 3,5 kW-DC/DC-Wandler, von Hoch- bis Niedrigspannung, mit 650 V-Galliumnitrid (GaN)-Hochelektron-Mobilitätstransistoren (HEMT). Dank der Verwendung des LMG3522R030 als Primärschalter arbeitet der Wandler mit einer hohen Schaltfrequenz. In diesem Design (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

PMP41139 — Referenzdesign für 3,5 kW-DC/DC-Wandler, 800 V bis 14 V

Dieses Referenzdesign beschreibt einen 3,5 kW-DC/DC-Wandler, von 800 V bis 14 V, mit 650 V-Galliumnitrid (GaN)-Hochelektron-Mobilitätstransistoren (HEMT). Durch die Verwendung der gestapelten Halbbrücken-Topologie (Stacked Half-Bridge, SHB) arbeitet der Wandler bei 800 V mit 650 V GaN HEMT. Dank (...)
Test report: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (DVG) 10 Ultra Librarian
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