PMP41139

Referenzdesign für 3,5 kW-DC/DC-Wandler, 800 V bis 14 V

PMP41139

Designdateien

Überblick

Dieses Referenzdesign beschreibt einen 3,5 kW-DC/DC-Wandler, von 800 V bis 14 V, mit 650 V-Galliumnitrid (GaN)-Hochelektron-Mobilitätstransistoren (HEMT). Durch die Verwendung der gestapelten Halbbrücken-Topologie (Stacked Half-Bridge, SHB) arbeitet der Wandler bei 800 V mit 650 V GaN HEMT. Dank der Verwendung des LMG3522R030 als Primärschalter arbeitet der Wandler mit einer hohen Schaltfrequenz. In diesem Design verwendet der Wandler eine geringere Transformatorgröße. Zur Vereinfachung der thermischen Leistung von Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) mit Active-Clamp-Technologie verwendet der Wandler aktive Zweikanal-Klemmschaltungen.

Merkmale
  • GaN-basierte gestapelte Halbbrücke (SHB), 650 V, mit LMG3522 in 800-V-Batteriesystem
  • 200 kHz-Schaltfrequenz, die magnetische Größe liegt 35 % unter dem Wert bei 100kHz
  • 95,48 % bei 200 kHz, 800 V Vin, 13,5 V Vout, ca. 1kW
  • Duale Active-Clamp-Schaltungen für Hochfrequenzszenarien und geringe MOSFET-Spannungsbelastung durch synchrone Gleichrichter (SR)
  • Optimierung des Wirkungsgrads bei geringer Last fördert einen Wirkungsgrad von maximal 5 %
Ausgangsspannung – Auswahlmöglichkeiten PMP41139.1
Vin (Min) (V) 400
Vin (Max) (V) 900
Vout (Nom) (V) 14
Iout (Max) (A) 250
Ausgangsleistung (W) 3500
Isoliert/Nicht isoliert Isolated
Eingabetyp DC
Topologie Full Bridge- Phase Shifted
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Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.

Designdateien und Produkte

Designdateien

Laden Sie sich sofort einsetzbare Systemdateien herunter, um Ihren Designprozess zu beschleunigen.

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TIDT435.PDF (1591 KB)

Testergebnisse für das Referenzdesign, mit Wirkungsgraddiagrammen, Testvoraussetzungen und mehr.

TIDMDX4.ZIP (781 KB)

Detaillierter Überblick über das Design-Layout zur Bestimmung der Position der Komponenten

TIDMDX6.ZIP (312 KB)

Vollständige Liste mit Designkomponenten, Referenz-Bezeichnern und Hersteller-/Teilenummern

TIDMDX5.ZIP (21906 KB)

Dateien für 3D-Modelle oder 2D-Zeichnungen von IC-Komponenten

TIDCGW1.ZIP (6570 KB)

Designdatei mit Informationen zur physikalischen Platinenschicht der Design-Platine

TIDMDX3.ZIP (8527 KB)

Leiterplattenschicht-Plotdatei zur Erstellung des Design-Layouts der Leiterplatte

TIDMDX2.ZIP (5213 KB)

Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten

Produkte

Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.

Ideale Diode und ODER-verknüpfende Controller

LM74202-Q1Ideale Diode für die Automobilindustrie, 4,2 bis 40 V, 2,2 A, 300 uA Ruhestrom, mit integriertem FET

Datenblatt: PDF | HTML
Halbleiter

TPS653860-Q12,8-A-Energiemanagement-IC (PMIC), 2,3–36 V, für sicherheitsrelevante Automobilanwendungen

Datenblatt: PDF | HTML
Hall-Effekt-Stromsensoren

TMCS1133-Q1Hall-Effekt-Stromsensor, 1 MHz, mit AFR und ALARM, für die Automobilindustrie

Datenblatt: PDF | HTML
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG3522R030GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung

Datenblatt: PDF | HTML
Transformatortreiber

SN6507-Q1Emissionsarmer 36-V-Push-Pull-Transformatortreiber mit Einschaltdauerregelung für die Automobilindus

Datenblatt: PDF | HTML
Low-Side-Treiber

UCC27332-Q1Automotive 20V VDD, 9A/9A single-channel driver and enable

Datenblatt: PDF | HTML
C2000-Echtzeit-Mikrocontroller

TMS320F28P650DKC2000™ 32-Bit-MCU, 2x C28x+CLA-CPU, Lock-Step, 1,28-MB-Flash, 16-B-ADC, HRPWM, EtherCAT, CAN-FD, AES

Datenblatt: PDF | HTML
Halbleiter

AMC3311-Q1Isolierter verstärkter Präzisionsverstärker für die Automobilindustrie mit integriertem DC/DC-Wandle

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Neueste englische Version herunterladen Datum
* Prüfbericht 3.5kW, 800V to 14V DC-DC Converter Reference Design PDF | HTML 28.02.2025

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