Dieses Referenzdesign beschreibt einen 3,5 kW-DC/DC-Wandler, von 800 V bis 14 V, mit 650 V-Galliumnitrid (GaN)-Hochelektron-Mobilitätstransistoren (HEMT). Durch die Verwendung der gestapelten Halbbrücken-Topologie (Stacked Half-Bridge, SHB) arbeitet der Wandler bei 800 V mit 650 V GaN HEMT. Dank der Verwendung des LMG3522R030 als Primärschalter arbeitet der Wandler mit einer hohen Schaltfrequenz. In diesem Design verwendet der Wandler eine geringere Transformatorgröße. Zur Vereinfachung der thermischen Leistung von Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) mit Active-Clamp-Technologie verwendet der Wandler aktive Zweikanal-Klemmschaltungen.
Merkmale
- GaN-basierte gestapelte Halbbrücke (SHB), 650 V, mit LMG3522 in 800-V-Batteriesystem
- 200 kHz-Schaltfrequenz, die magnetische Größe liegt 35 % unter dem Wert bei 100kHz
- 95,48 % bei 200 kHz, 800 V Vin, 13,5 V Vout, ca. 1kW
- Duale Active-Clamp-Schaltungen für Hochfrequenzszenarien und geringe MOSFET-Spannungsbelastung durch synchrone Gleichrichter (SR)
- Optimierung des Wirkungsgrads bei geringer Last fördert einen Wirkungsgrad von maximal 5 %