Dieses Referenzdesign implementiert ein Multi-MHz-Leistungsstufendesign basierend auf dem LMG1210-Halbbrücken-GaN-Treiber und den GaN-Hochelektron-Mobilitäts-Leistungstransistoren (HEMTs). Mit hocheffizienten Schaltern und flexibler Totzeiteinstellung kann dieses Design die Leistungsdichte erheblich verbessern und gleichzeitig einen guten Wirkungsgrad sowie eine große Steuerungsbandbreite erreichen. Dieses Leistungsstufendesign kann in vielen Anwendungen mit begrenzten Platzverhältnissen eingesetzt werden, die schnelles Ansprechverhalten verlangen, wie z. B. in der Stromversorgung von 5G-Telekommunikationsnetzen, Servern und industriellen Stromversorgungen.
Eine voll bestückte Platine wurde nur für Test- und Leistungsvalidierung entwickelt. Sie wird nicht zum Verkauf angeboten.
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Detailliertes Schaltplandiagramm für Design-Layout und Komponenten
Enthält TI-Produkte in der Entwicklung und mögliche Alternativen.
| Typ | Titel | Neueste englische Version herunterladen | Datum | ||
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| * | Designleitfaden | Multi-MHz GaN Power Stage Reference Design for High-Speed DC/DC Converters | 26.02.2018 |
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