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UCC5870QEVM-045

UCC5870-Q1: EVM für isolierten dreiphasigen IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber mit 15 A und Konformität mi

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Überblick

Das dreiphasige Evaluierungsmodul (EVM) UCC5870-Q1nbsp;ist für die Evaluierung des isolierten 15-A-Einkanal-Gate-Treibers von TI mit erweiterten Schutzfunktionen konzipiert. Dieser EVM ist für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und IGBTs mit hoher Leistung in EV/HEV-Anwendungen gedacht. Dieses dreiphasige EVM kann zum Debuggen von Software für die serielle Peripherieschnittstelle (SPI) des Treibers und zum Erkunden der hochentwickelten Diagnose-, Schutz- und Überwachungsfunktionen des Treibers verwendet werden.

Merkmale
  • Unterstützt die Entwicklung von Anwendungssoftware in drei Phasen
  • SPI-basierte Rekonfiguration, Überprüfung, Überwachung und Diagnose von Bausteinen
  • Unterstützt sowohl SPI im Adressmodus als auch SPI im Daisy-Chain-Modus
  • Schutz von Leistungstransistoren: DESAT, OC/SC, programmierbare Softabschaltung (STO) und zweistufige Abschaltung (2LTOFF) bei Leistungstransistorfehlern
  • Geteilte Treiberausgänge garantieren 15nbsp;A Spitzenstrom in der Quelle und 15nbsp;A Spitzenstrom in der Senke
Isolierte Gate-Treiber
UCC5870-Q1 — Isolierter Automobil-Einkanal-Gate-Treiber für funktionale Sicherheit für IGBT/SiC, 3,75 kVrms, 30 A UCC5871-Q1 — Isol. IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber, 30 A, 5,7 kV VRMS, für Automobilind., erweit. Schutzfunktionen
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UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1: EVM für isolierten dreiphasigen IGBT/SiC-MOSFET-Gate-Treiber mit 15 A und Konformität mit funktionaler Sicherheit

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Veröffentlichungsdatum: 12.07.2021
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Versionsinformationen

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* EVM User's guide UCC5870-Q1EVM-045 User's Guide PDF | HTML 04.02.2020
Zertifikat UCC5870QEVM-045 EU Declaration of Conformity (DoC) 22.02.2021

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