PMP20183

Diseño de referencia de convertidor boost de voltaje de entrada de 9 V a 15 V (200 V A 10mA)

Información general

Este convertidor boost implementa un triplicador de tensión que permite una relación boost alta de entrada a salida. Este diseño es de bajo costo y requiere un área de menos de 25 mm × 25 mm.

Funciones
  • Alta eficiencia (>82 % con 10 mA de carga a 12 Vin)
  • Implementa componentes de 100 V con bajo estrés
  • Baja tensión de ondulación de salida (<0.4 %)
  • Área pequeña de 25 mm x 25 mm
Opciones de tensión de salida PMP20183.1
Tensión de entrada (Min) (V) 9
Tensión de entrada (Máx) (V) 15
Tensión de salida (Nom) (V) 200
Amperímetro de salida (Máx) (A) .01
Potencia de salida (W) 2
Aislado/Sin aislar Non-Isolated
Tipo de entrada DC
Topología Boost- Non Sync
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Se desarrolló una placa completamente integrada únicamente para pruebas y validación de rendimiento y no está disponible para la venta.

Archivos de diseño y productos

Archivos de diseño

Descargue archivos de sistema listos para usar para acelerar su proceso de diseño.

TIDUCJ2.PDF (1847 KB)

Resultados de las pruebas del diseño de referencia, incluidos gráficos de eficiencia, requisitos previos para las pruebas, etc.

TIDROG5.PDF (52 KB)

Descripción detallada del diseño para la instalación de componentes

TIDROG4.PDF (39 KB)

Lista completa de componentes de diseño, designadores de referencia y números de fabricantes/piezas

TIDROG7.ZIP (6012 KB)

Archivos para modelos 3D o dibujos 2D de componentes de IC

TIDCCU6.ZIP (354 KB)

Fichero de diseño que contiene información sobre la capa física de la PCB de diseño

TIDROG6.PDF (278 KB)

Archivo de trazado de capas de PCB para generar el trazado del diseño de PCB

TIDROG3.PDF (98 KB)

Diagrama esquemático detallado del diseño y los componentes

Productos

Incluye productos de TI en el diseño y posibles alternativas.

Controladores CA/CC y CC/CC (FET externo)

LM3481Controlador de alta eficiencia de 2.97 V a 48 V para impulso, SEPIC y retorno

Hoja de datos: PDF | HTML
MOSFET

CSD19538Q3AMOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 61 mOhm

Hoja de datos: PDF | HTML

Documentación técnica

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Tipo Título Descargar la versión más reciente en inglés Fecha
* Informe de prueba PMP20183 Test Results 3/11/2016

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