PMP41068

Diseño de referencia de amplificadores de audio de 100 W de clase D con GaN

Información general

Este diseño de referencia muestra una etapa de potencia de clase D de extremo único que emplea GaN HEMT. El diseño usa los dispositivos LMG2100R044 como interruptores de alimentación, la frecuencia de funcionamiento es de 1 MHz. 

Funciones
  • Al usarse GaN HEMT como interruptores de alimentación, la frecuencia de funcionamiento puede aumentar a 2 MHz o incluso a una frecuencia más alta. 
  • La distorsión armónica total (THD) de la configuración de circuito abierto no es superior a 0.4 %. 
  •  La eficiencia máxima es del 94.2 % a 54.9 %
Opciones de tensión de salida PMP41068.1
Tensión de entrada (Min) (V) 10
Tensión de entrada (Máx) (V) 60
Tensión de salida (Nom) (V) 12
Amperímetro de salida (Máx) (A) 3
Potencia de salida (W) 36
Aislado/Sin aislar Non-Isolated
Tipo de entrada DC
Topología
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Se desarrolló una placa completamente integrada únicamente para pruebas y validación de rendimiento y no está disponible para la venta.

Archivos de diseño y productos

Archivos de diseño

Descargue archivos de sistema listos para usar para acelerar su proceso de diseño.

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Resultados de las pruebas del diseño de referencia, incluidos gráficos de eficiencia, requisitos previos para las pruebas, etc.

TIDMC50.PDF (280 KB)

Descripción detallada del diseño para la instalación de componentes

TIDMC49.PDF (178 KB)

Lista completa de componentes de diseño, designadores de referencia y números de fabricantes/piezas

TIDMC52.ZIP (1500 KB)

Archivos para modelos 3D o dibujos 2D de componentes de IC

TIDCGJ2.ZIP (1588 KB)

Fichero de diseño que contiene información sobre la capa física de la PCB de diseño

TIDMC51.PDF (1145 KB)

Archivo de trazado de capas de PCB para generar el trazado del diseño de PCB

TIDMC48.PDF (275 KB)

Diagrama esquemático detallado del diseño y los componentes

Productos

Incluye productos de TI en el diseño y posibles alternativas.

Búferes y controladores inversores

SN74AC14Inversores de 6 canales, 2 V a 6 V con entradas de disparador Schmitt

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Etapas de potencia de nitruro de galio (GaN)

LMG2100R044Transistor de efecto de campo (FET) de GaN de medio puente de 100 V y 4.4 mΩ con controlador y prote

Hoja de datos: PDF | HTML
Convertidores de CA/CC y CC/CC (FET integrado)

TPS629210-Q1Convertidor reductor síncrono de 3 V a 17 V, 1 A, alta eficiencia y bajo IQ para automoción en SOT-5

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Documentación técnica

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Tipo Título Descargar la versión más reciente en inglés Fecha
* Informe de prueba Discrete Single-Ended Class-D Power Stage Reference Design With GaN HEMT PDF | HTML 9/11/2023

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