En este diseño de referencia se describe un convertidor CC-CC de alta tensión a baja tensión de 3.5 kW con transistores de nitruro de galio (GaN) de alta movilidad de electrones (HEMT) de 650 V. El uso de LMG3522R030 como interruptores primarios hace que el convertidor funcione a una frecuencia de conmutación elevada. En este diseño, el convertidor utiliza un transformador de menor tamaño. Para facilitar el rendimiento térmico de los transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET) de abrazadera activa, el convertidor utiliza circuitos de abrazadera activa de dos canales.
Funciones
- Puente completo con desplazamiento de fase (PSFB) basado en nitruro de galio (GaN) utilizando LMG3522 y controlado mediante una unidad de microcontrolador (MCU) C29
- Frecuencia de conmutación de 200 kHz, el tamaño magnético es un 35 % inferior a 100 kHz
- 95.48 % a 200 kHz, 400 V Vin, 13.5 V Vout, aproximadamente 1 kW
- Circuitos de abrazadera activa dobles para escenarios de alta frecuencia y tensión de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) del rectificador síncrono bajo (SR)
- La optimización de la eficiencia de la carga ligera promueve una eficiencia máxima del 5 %