En este diseño de referencia se describe un convertidor CC-CC de 3.5 kW, de 800 V a 14 V, con transistores de nitruro de galio (GaN) de alta movilidad de electrones (HEMT) de 650 V. El uso de la topología de medio puente apilado (SHB) hace que el convertidor funcione a 800 V con GaN HEMT de 650 V. El uso de LMG3522R030 como interruptores primarios hace que el convertidor funcione a una frecuencia de conmutación elevada. En este diseño, el convertidor utiliza un transformador de menor tamaño. Para facilitar el rendimiento térmico de los transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET) de abrazadera activa, el convertidor utiliza circuitos de abrazadera activa de dos canales.
Funciones
- Medio puente apilado (SHB) basado en GaN de 650 V que utiliza LMG3522 en un sistema de batería de 800 V
- Frecuencia de conmutación de 200 kHz, el tamaño magnético es un 35 % inferior a 100 kHz
- 95.48 % a 200 kHz, 800 V Vin, 13.5 V Vout, aproximadamente 1 kW
- Circuitos de abrazadera activa dobles para escenarios de alta frecuencia y tensión de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) del rectificador síncrono bajo (SR)
- La optimización de la eficiencia de la carga ligera promueve una eficiencia máxima del 5 %