Los transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) paralelos se hacen necesarios para los equipos de conversión de potencia con mayores clasificaciones de potencia de salida, donde un solo IGBT no puede proporcionar la corriente de carga requerida. Este diseño de referencia implementa un módulo aislado de control de puerta de transistor bipolar de compuerta aislada reforzado para accionar transistores bipolares de compuerta aislada paralelos en configuración de medio puente. Los transistores bipolares de compuerta aislada paralelos presentan desafíos tanto a nivel del controlador de compuerta (fuerza de accionamiento insuficiente) como al nivel del sistema en mantener una distribución de corriente igual en ambos transistores bipolares de puerta aislada, al tiempo que garantizan un encendido y apagado más rápido. Este diseño de referencia utiliza un controlador de compuerta aislado de transistor bipolar de compuerta aislada reforzado con funciones integradas como detección de desaturación y apagado suave para proteger el transistor bipolar de compuerta aislada durante condiciones de fallo. Se obtiene una mayor corriente de accionamiento de puerta (15 A) mediante una etapa externa de refuerzo de corriente del transistor de unión bipolar sin sacrificar la función de apagado suave. Además, este diseño demuestra el mecanismo de evitar los bucles de corriente de puerta mientras se operan los transistores bipolares de compuerta aislada en paralelo.
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| Tipo | Título | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha | ||
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| * | Guía de diseño | IGBT Gate Driver Ref Design for Parallel IGBTs (Rev. A) | 19/01/2017 |
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