Este diseño de referencia proporciona una plantilla para implementar diseños de accionamiento de compuerta para transistores de efecto de campo (FET) de hasta 3.3 kV. Mediante el uso de precontroladores aislados monocanal con salidas divididas, se pueden controlar múltiples variantes de FET de potencia manteniendo una alta capacidad de fuente y disipador de corriente. El rendimiento del diseño de accionamiento se mejora aún más mediante la incorporación de una fuente de polarización aislada CC/CC con tensiones de carril de salida controladas, lo que permite un funcionamiento con menor RDS(ON).
| Opciones de tensión de salida | TIDA-011011.1 |
|---|---|
| Tensión de entrada (Min) (V) | 10.8 |
| Tensión de entrada (Máx) (V) | 13.2 |
| Tensión de salida (Nom) (V) | 18 |
| Amperímetro de salida (Máx) (A) | .1 |
| Potencia de salida (W) | 1.8 |
| Aislado/Sin aislar | Isolated |
| Tipo de entrada | DC |
| Topología | Other |
Se desarrolló una placa completamente integrada únicamente para pruebas y validación de rendimiento y no está disponible para la venta.
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| Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Guía de diseño | Isolated Gate Driver Board With Isolated Bias Supply for 3.3kV SiC-FET Reference Design | PDF | HTML | 20/03/2026 |
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