This reference design provides a template for implementing gate drive designs for field effect transistors (FETs) rated up to 3.3kV. By utilizing single-channel isolated pre-drivers with split outputs, multiple variants of power FETs can be driven while maintaining high current sink and source capability. The performance of the driving design is further enhanced by incorporating a DC/DC isolated bias supply with controlled output rail voltages, enabling lower RDS(on) operation.
| Opciones de tensión de salida | TIDA-011011.1 |
|---|---|
| Tensión de entrada (Min) (V) | 10.8 |
| Tensión de entrada (Máx) (V) | 13.2 |
| Tensión de salida (Nom) (V) | 18 |
| Amperímetro de salida (Máx) (A) | .1 |
| Potencia de salida (W) | 1.8 |
| Aislado/Sin aislar | Isolated |
| Tipo de entrada | DC |
| Topología | Other |
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| Documentación principal | Tipo | Título | Opciones de formato | Descargar la versión más reciente en inglés | Fecha |
|---|---|---|---|---|---|
| * | Guía de diseño | Isolated Gate Driver Board With Isolated Bias Supply for 3.3kV SiC-FET Reference Design | PDF | HTML | 20/03/2026 |
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