Este diseño de referencia de controlador de compuerta de FET e IGBT de carburo de silicio (SiC) es un modelo para controlar las etapas de potencia de aplicaciones de SAI, inversor de CA y pila de carga de vehículos eléctricos (estación de carga de EV). El diseño se basa en los controladores de compuerta aislados básicos UCC53xx de 3 kVRMS de TI para controlar los FET de lado alto y bajo. El diseño de referencia contiene una fuente de alimentación auxiliar compacta, integrada, fly buck aislada de 1.5 W para alimentar la entrada y la salida del controlador de compuerta. Al combinar el controlador de compuerta aislado y la fuente de alimentación del controlador de compuerta aislado en una placa compacta con un factor de forma de 33 mm × 23 mm.Este diseño proporciona una solución de controlador de un único canal totalmente probada, robusta, independiente y fácil de validar, capaz de soportar > 100 kV/μs de inmunidad a transitorios de modo común (CMTI).
Funciones
- Adecuado para inversores monofásicos y trifásicos, convertidores de potencia de media y alta tensión (100 VCA a 230 VCA).
- 0.5 A/2 A/6 A/10 A de corriente de origen y de disipación para MOSFET/ IGBT/SiC-FET con corrientes de hasta 100 A y frecuencias de funcionamiento de hasta 500 Khz.
- Protección contra el encendido/apagado parásito de IGBT/FET durante la secuencia de encendido y apagado
- Barrera de aislamiento de 4000 VPK y 2500 VRMS
- Solución de controlador validada y cumple con una alta inmunidad a transitorios de modo común (CMTI) de > 100 kV/μs
- Fuente de alimentación aislada compacta, de bajo costo y componentes bajos para alimentar circuito lateral de alta tensión con polarización negativa para inmunidad de ruido