BQ25770GEVM

BQ25770G の評価基板

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BQ25770GEVM

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概要

BQ2577xGEVM は、SMBus または I²C 対応の NVDC 2 相昇降圧充電コントローラである BQ2577xG を使用した、包括的な大電力かつ高効率のバッテリチャージャです。この評価基板は複数の GaN FET を高効率で駆動します。入力電圧範囲は 3.5V ～ 40V であり、2 ～ 5 セルのプログラマブル出力を供給します。充電電流範囲は 0A ～ 16.3A です。この BQ2577xGEVM を使用すると、BQ2577xG の機能や性能の評価をステップバイステップの手順で行えます。また BQ2577xGEVM は、包括的な回路図、レイアウト、部品表 (BOM) が付属したリファレンスデザインの役割も果たします。

特長

3.5V ～ 40V の入力をサポート
GaN FET による高い効率
Narrow VDC (NVDC) パワーパス管理
低プロファイルインダクタに対応できる、600kHz または 800kHz のスイッチング周波数
CPU スロットリングに適した電力 / 電流モニタ
安全機能：過熱保護、過電圧保護、過電流保護

EV2400 インターフェイスデバイスは付属していないため、別途注文する必要があります。

バッテリ・チャージャ IC

BQ25770G — GAN HEMT 向け、I²C、2 ～ 5 セル、NVDC 2 相昇降圧バッテリ充電コントローラ

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購入と開発の開始

評価ボード

BQ25770GEVM — BQ25770G の評価基板

TI.com で取り扱いなし

TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

技術資料

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	種類	タイトル		英語版のダウンロード		日付
	EVM ユーザーガイド (英語)	BQ2577xGEVM Evaluation Module User's Guide	PDF \| HTML			2024年 5月 1日
	証明書	BQ25770GEVM EU Declaration of Conformity (DoC)				2024年 4月 10日

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