BQ25770G
- USB-C 拡張電力範囲 (EPR) インターフェイス プラットフォーム向け、 テキサス・インスツルメンツ特許取得済みの疑似 2 相昇降圧ナロー電圧 DC (NVDC) チャージャ
- 2~5 セル バッテリを充電するための 3.5V~40V 入力範囲
- 5mΩ/ 2mΩ センシング抵抗で、最大 16.3A/30A の充電電流
- 10mΩ/5mΩ センシング抵抗で、最大 8.2A/16.4A の入力電流制限
- USB 2.0、USB 3.0、USB 3.1、USB-C パワー デリバリ、拡張電力範囲の入力電流設定をサポート
- 入力電流オプティマイザ (ICO) により、アダプタの過負荷を引き起こさずに最大入力電力を抽出
- USB-PD 仕様に準拠した統合型高速ロール スワップ (FRS) 機能
- 疑似 2 相降圧、昇降圧、および昇圧動作間のシームレスな遷移
- ソース過負荷に対する入力電流および電圧のレギュレーション (IINDPM および VINDPM)
- アダプタの全負荷時にバッテリでシステムを補完
- IEC-CISPR 32 EMI 仕様に適合する、テキサス・インスツルメンツ特許取得済みのデュアル ランダム スペクトラム拡散 (DRSS)
- 99% を超える電力効率を達成し、バッテリの高速充電をサポートするためテキサス・インスツルメンツ特許取得済みパス スルー モード (PTM)
- Intel プラットフォーム向けの IMVP8/IMVP9 準拠システム機能
- 拡張 Vmin アクティブ保護 (VAP) モードは、最新の Intel 仕様に準拠したシステム ピーク電力スパイク時に入力コンデンサからバッテリを補完します
- 包括的な PROCHOT プロファイル
- バッテリの摩耗故障を防止する 2 レベルの放電電流制限 PROCHOT プロファイル
- システム電力モニタ (PSYS)
- 専用ピンによる入力およびバッテリ電流モニタ
- 内蔵 16 ビット ADC により電圧、電流、電力を監視
- 補完モードでのバッテリ MOSFET の理想ダイオード動作
- バッテリから USBポートへ電源供給 (USB OTG)
- 3V〜5V OTG
- 10mΩ センシング抵抗で、最大 3A の出力電流制限
- 600kHz/800kHz プログラマブル スイッチング周波数
- SMBus ホスト制御インターフェイスによる柔軟なシステム構成
- 高精度のレギュレーションと監視
- ±0.5% の充電電圧レギュレーション
- ±2% の充電電流レギュレーション
- ±2% の入力電流レギュレーション
- ±2% の入力 / 充電電流監視
- 安全
- サーマル レギュレーションおよびサーマル シャットダウン
- 入力、システム、バッテリの過電圧保護
- 入力、MOSFET、インダクタの過電流保護
- パッケージ:36 ピン、4.0mm × 5.0mm WQFN
BQ25770G は、同期整流 NVDC 昇降圧バッテリ充電コントローラであり、USBアダプタ、拡張電力範囲 (EPR) USB-C パワー デリバリ (PD) ソース、標準電力範囲 (SPR) USB-C パワー デリバリ (PD) ソース、従来型のアダプタなど多様な入力ソースから 2~5 セル バッテリを充電します。スペースに制約のある 2~5 セルのバッテリ充電アプリケーション向けに、部品点数が少なく高効率のソリューションを実現します。
NVDC 構成により、システムをバッテリの電圧に応じてレギュレートしながら、システムの最低電圧を下回らないように維持できます。バッテリが完全に放電した場合や取り外された場合でも、システムは動作を続けられます。負荷電力が入力電源の定格を超過すると、バッテリは補完モードに移行し、システムの故障を防止します。
電源投入時に、充電器は入力電源およびバッテリの状況に基づいてコンバータを降圧、昇圧、昇降圧型のいずれかの構成に設定します。充電器はホストの制御なしに、降圧、昇圧、昇降圧型の動作モードをシームレスに遷移します。テキサス・インスツルメンツ特許取得済みの疑似 2 相コンバータは、ハイパワー降圧モードで 2 相をインターリーブできるため、放熱を向上し、各インダクタを小型化できます。同時に、昇圧側スイッチング MOSFET を 2 個しか必要としないため、昇圧モードでの電力動作が制限され、システム全体の面積とコストを節約できます。
入力ソースがない場合、BQ25770G は 2〜5 セル バッテリによる USB On-the-Go (OTG) 機能をサポートし、20mV 分解能で VBUS に調整可能な 3V~5V の出力を生成します。
バッテリのみをシステム電源とし、USB OTG ポートに外部負荷を接続していない場合、BQ25770G は最新の Intel Vmin アクティブ プロテクション (VAP) 機能を実装しているため、バッテリから VBUS 電圧を充電して、入力デカップリング コンデンサに蓄電できます。システム ピーク電力スパイク中に、入力コンデンサに蓄えられた電力がシステムを補完することにより、システム電圧が最低値を下回り、システムが故障するのを防止できます。
BQ25770G は、アダプタ電流、バッテリ電流、システム電力を監視します。柔軟にプログラム可能な PROCHOT 出力は、必要に応じてスロットル バックするために CPU ホストに直接送られます。
USB-C PD 仕様の最新バージョンには、電源ロールのスワップが適切なタイミングで行われるようにする高速ロール スワップ (FRS) 機能が搭載されており、ドックに接続されたデバイスで瞬時電力損失やグリッチが発生することを回避できます。このデバイスには、PD 仕様に準拠した FRS が統合されています。
テキサス・インスツルメンツが特許取得済みのスイッチング周波数ディザリング パターンを使用すると、伝導性 EMI の周波数範囲全体 (150kHz~30MHz) で EMI ノイズを大幅に低減できます。複数のディザリング スケール オプションが利用可能で、さまざまなアプリケーションに柔軟に対応できます。ディザリング機能により、EMI ノイズ フィルタの設計が大幅に簡素化されます。
充電器は、テキサス・インスツルメンツが特許取得済みのパス スルー モード (PTM) で動作し、全負荷範囲にわたって効率を向上させることができます。PTM では、入力電力は充電器からシステムに直接供給されます。MOSFET のスイッチング損失とインダクタのコア損失を抑えることができるため、高効率な動作が可能になります。
BQ25770G は、36 ピン 4mm × 5mm WQFN パッケージで供給されます。
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | データシート | BQ25770G GaN HEMT 向け、40V、SMBus、2〜5 セル、ナロー VDC 疑似 2 相昇降圧バッテリ充電コントローラ、システム電力モニタおよびプロセッサ過熱モニタ搭載 データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 4月 18日 |
EVM ユーザー ガイド (英語) | BQ2577xGEVM Evaluation Module User's Guide | PDF | HTML | 2024年 5月 1日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
BQ25770GEVM — BQ25770G の評価基板
PMP22405 — 複数のハイブリッド スイッチング FET 搭載、2 相、320W、マルチセル バッテリ チャージャのリファレンス デザイン
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
WQFN (REE) | 36 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。