LM2105EVM

LM2105 ブートストラップ・ダイオードを内蔵した 105V ハーフブリッジ・ドライバの評価基板

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LM2105EVM

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概要

LM2105 評価基板 (EVM) は、LM2105 の性能を評価するためのプラットフォームです。LM2105 は、105V のブート電圧で使用できるハイサイド / ローサイド・ドライバで、ソース (供給) 0.5A とシンク (吸い込み) 0.8A のピーク電流に対応するほか、2 個の N チャネル MOSFET (金属 - 酸化膜 - 半導体の電界効果トランジスタ) を駆動します。同じボードを使用して、サポート対象のパッケージに封止した、互いにピン互換性のある複数のパーツを評価することができます。

特長

5V ～ 18V V_CC の電源電圧範囲
LM2105 ゲート・ドライバの低電圧機能を評価可能
バイアス電源のバイパス・コンデンサの静電容量や、ゲート駆動抵抗を選択できるように最適化済みのプリント基板 (PCB) レイアウト

ハーフ・ブリッジ・ドライバ

LM2005 — 8V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、ブートストラップダイオード内蔵、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジゲートドライバ

LM2101 — 8V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジゲートドライバ

LM2103 — 8V UVLO (低電圧ロックアウト) とデッドタイム制御機能と反転入力ピン搭載、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジゲートドライバ。

LM2104 — 8V UVLO (低電圧ロックアウト) とデッドタイム制御機能とシャットダウン機能搭載、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジゲートドライバ

LM2105 — 5V UVLO (低電圧ロックアウト) 搭載、ブートストラップダイオード内蔵、107V、0.5A/0.8A ハーフブリッジゲートドライバ

LM5109B — 8V UVLO 搭載、高いノイズ耐性、1A、100V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

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購入と開発の開始

評価ボード

LM2105EVM — LM2105 ブートストラップ・ダイオードを内蔵した 105V ハーフブリッジ・ドライバの評価基板

TI.com で取り扱いなし

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技術資料

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	種類	タイトル		英語版のダウンロード		日付
	EVM ユーザーガイド (英語)	LM2105EVM User's Guide	PDF \| HTML			2023年 2月 14日
	証明書	LM2105EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC)				2023年 2月 1日

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