LM2103
107V 0.5A/0.8A half-bridge gate driver with 8V UVLO, dead time and inverting input pin
データシート
LM2103
- ハーフブリッジ構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
- 8-V GVDD の低電圧誤動作防止 (代表値)
- BST での電圧 (絶対最大値)：107V
- SH での負過渡電圧 (絶対最大値)：-19.5V
- ソース / シンク電流 (ピーク時)：0.5A/0.8A
- 固定内部デッドタイム (代表値)：475ns
- クロス導通防止機能を内蔵
- 伝搬遅延時間 (代表値)：115ns
- 反転入力ピン INL
LM2103 は、同期整流式降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方の N チャネル MOSFET を駆動するよう設計された、コンパクトな高電圧ゲート・ドライバです。 INL 反転入力により、このドライバはデュアルまたはシングル PWM 入力アプリケーションで使用できます。
固定のデッドタイムと、SH ピンでの DC -1V および -19.5V の過渡負電圧処理により、高ノイズ・アプリケーションにおけるシステムの堅牢性が向上します。 LM2103 は、業界標準のピン配置と互換性のある 8 ピン SOIC パッケージで供給されます。ローサイドとハイサイドの両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能 (UVLO) が搭載されており、電源投入および電源切断時の保護を実現します。
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技術資料
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設計と開発
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評価ボード
LM2105EVM — LM2105 ブートストラップ ダイオードを内蔵した 105V ハーフブリッジ ドライバの評価基板
LM2105 評価基板 (EVM) は、LM2105 の性能を評価するためのプラットフォームです。LM2105 は、105V のブート電圧で使用できるハイサイド / ローサイド ドライバで、ソース 0.5A とシンク 0.8A のピーク電流に対応するほか、2 個の N チャネル MOSFET を駆動します。同じボードを使用して、サポート対象のパッケージに封止した、互いにピン互換性のある複数のパーツを評価することができます。
在庫あり
制限：
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入手不可
計算ツール
LM2X0X-CALC — LM2x0x 回路図レビューテンプレート
LM2x0x Schematic Review Template (zip)
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
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