LMG3425EVM-041

具有理想二極體模式半橋子板的 LMG3425R050 600-V 50-mΩ

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LMG3425EVM-041 於半橋配置兩個 LMG3425R050 GaN FET，具備鎖存過電流防護和所有必要輔助周邊設備電路。此 EVM 設計旨在與較大的系統配合使用。

特點

輸入電壓運作最多 600V
簡易的開迴路設計可評估 LMG342XR0XX 的性能
板載單/雙 PWM 輸入，具可變失效時間且可用於 PWM 訊號
逐週期過電流防護功能
使用具有短接地彈簧探針的示波器探針，提供方便的邏輯和功率級測量探針點

氮化鎵 (GaN) 功率級

LMG3425R050 — 具有整合式驅動器、保護、溫度報告和理想二極體模式的 600-V 50-mΩ GaN FET

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This half-bridge daughter card allows you to quickly implement a GaN-based power converter when supplied with control signals, power magnetics and capacitors.

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This motherboard, with power magnetics and storage capacitors, allows you to implement an open-loop power converter when supplied with a FET daughter board and control signals.

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	類型	標題		下載最新的英文版本		日期
	使用指南	LMG342XEVM-04X User Guide (Rev. B)	PDF \| HTML			2022/1/30
	證書	LMG3425EVM-041 EU Declaration of Conformity (DoC)				2020/10/26

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