PMP31333
適用於 SiC 和 GaN 驅動電源的強化型隔離 LLC 轉換器參考設計
PMP31333
概覽
當預期二次側出現極高的 dV/dT 時（例如寬頻隙開關），這款外型精巧的電源供應器可為隔離碳化矽 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) MOSFET 閘極驅動器提供偏壓電源。電路板接受 24V 輸入，並在 200mA 時供應 12V。諧振電感器 - 電感器 - 電容器 (LLC) 拓撲結構結合低一次到二次繞組電容，使此轉換器成為低雜訊和高共模暫態抗擾度 (CMTI) 應用的選項，同時可減少通過變壓器的共模電流注入。即使該隔離式 LLC 轉換器以開環方式工作，輸出電壓仍保持追蹤 VIN，並且相對於負載電流的變化非常小。
特點
- 強化絕緣
- 極低的一次 - 二次繞組電容
- 穩壓 24VIN 至 12VOUT
- 使用 30µF 切換式輸出電容測試（首次啟動高壓側 GaN 或 SiC-FET）
- 諧振（二次側）LLC 拓撲結構
| 輸出電壓選項 | PMP31333.1 |
|---|---|
| Vin (最小值) (V) | 22 |
| Vin (最大值) (V) | 26 |
| Vout (Nom) (V) | 12 |
| Iout (最大) (A) | .2 |
| 輸出功率 (W) | 2.4 |
| 隔離式/非隔離式 | Isolated |
| 輸入類型 | DC |
| 拓撲結構 | Half Bridge- Resonant |
已開發完全組裝的電路板，僅供測試與性能驗證，且為非賣品。
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| 類型 | 標題 | 下載最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 測試報告 | Reinforced-Isolation LLC Converter Reference Design for SiC and GaN Driving Supply | PDF | HTML | 2025/2/25 |