これまでの進歩を通じて、現在は より小型のデバイスでさらに多くの電力を供給し、性能の向上とコスト削減を実現することができますGaN (窒化ガリウム) 半導体 は、パワー・エレクトロニクスの進化を推進しますデータ・センタのエネルギー効率がいっそう向上します 再生可能エネルギー供給源の採用が現実的になり、コンシューマ・エレクトロニクスが環境に及ぼす影響を低減しやすくなります 10 年以上にわたって、 TI は GaNの技術革新の前線で行動してきました GaN を採用した最初のクラウド対応 10kW グリッド・リンクから、ドライバを内蔵した最初の上面冷却 GaN FET まで、TI の高集積 GaN IC は 高電圧システムの設計の迅速性、シンプル化、安全性の向上に貢献しています パワー・エレクトロニクスの次の革新がここにありますTI の GaN 半導体をご活用ください テキサス・インスツルメンツ 高電圧設計の可能性を最大限に引き出します