具有 GaN 和 C2000 的 5 kW 圖騰柱 PFC
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16 SEP 2024
650-V GaN 裝置的切換損耗更低，且能夠以比同類 Si 裝置更高的頻率進行切換；這可透過整合整合式閘極驅動器，以將寄生元件減至最少最低，並簡化高功率設計，進而在 TI GaN 產品中進一步實現。隨附 TI LMG3522 系列最新頂端冷卻 GaN 裝置，其中也包含內建防護和電源管理功能。TI C2000™ 控制器和 TI 數位隔離器可實現最短失效時間和進階控制。