JAJSGP9G October   2011  – August 2023 BQ25504

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 概要 (続き)
  7. 6 Pin Configuration and Functions
  8. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Typical Characteristics
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Maximum Power Point Tracking
      2. 8.3.2 Battery Undervoltage Protection
      3. 8.3.3 Battery Overvoltage Protection
      4. 8.3.4 Battery Voltage in Operating Range (VBAT_OK Output)
      5. 8.3.5 Nano-Power Management and Efficiency
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 Cold-Start Operation (VSTOR < VSTOR_CHGEN, VIN_DC > VIN(CS) and PIN > PIN(CS))
      2. 8.4.2 Main Boost Charger Enabled (VSTOR > VSTOR_CHGEN, VIN_DC > VIN(DC) and EN = LOW )
      3. 8.4.3 Thermal Shutdown
  10. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Storage Element Selection
      2. 9.1.2 Inductor Selection
      3. 9.1.3 Capacitor Selection
        1. 9.1.3.1 VREF_SAMP Capacitance
        2. 9.1.3.2 VIN_DC Capacitance
        3. 9.1.3.3 VSTOR Capacitance
        4. 9.1.3.4 Additional Capacitance on VSTOR or VBAT
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 Solar Application Circuit
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curves
      2. 9.2.2 TEG Application Circuit
        1. 9.2.2.1 Design Requirements
        2. 9.2.2.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.2.3 Application Curves
      3. 9.2.3 MPPT Disabled, Low Impedance Source Application Circuit
        1. 9.2.3.1 Design Requirements
        2. 9.2.3.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.3.3 Application Curves
  11. 10Power Supply Recommendations
  12. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 Thermal Considerations
  13. 12Device and Documentation Support
    1. 12.1 Device Support
      1. 12.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 12.1.2 Zip Files
    2. 12.2 Documentation Support
      1. 12.2.1 Related Documentation
    3. 12.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 12.4 サポート・リソース
    5. 12.5 Trademarks
    6. 12.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 12.7 用語集
  14. 13Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5 概要 (続き)

また、BQ25504 は、デバイスへの電力の伝達を最適化するため、プログラム可能な最大電力点追従サンプリング・ネットワークも実装しています。VIN_DCの開路電圧のサンプリングは、外付け抵抗で設定され、外付けコンデンサ(CREF)により保持されます。

たとえば、開路電圧の80%の最大電力点(MPP)で動作するソーラー・セルの場合、分圧抵抗回路をVIN_DC電圧の80%に設定することで、サンプリングされた基準電圧近くで動作するようにVIN_DCが制御されます。または、MCUから外部基準電圧を供給し、より複雑なMTTPアルゴリズムを実現することもできます。

BQ25504 は、各種のエネルギー蓄積素子を柔軟にサポートするように設計されています。ハーベスタのエネルギー抽出源の利用可能性は、多くの場合、散発的であるか時間によって変動します。システムには通常、充電可能バッテリ、スーパーキャパシタ、従来型コンデンサなど、何らかの種類のエネルギー蓄積素子が必要です。この蓄積素子により、システムが必要としたときに一定の電力が利用できるようにします。また、この蓄積素子によりシステムは、入力源からは直接得ることができないピーク電流に対応できます。

蓄積素子を損傷させないように、ユーザーがプログラムした低電圧(UV)および過電圧(OV)レベルに対して、最高および最低電圧が監視されます。

さらに、エネルギー収支を厳密に管理するユーザーを支援するため、エネルギーを蓄積するバッテリまたはコンデンサの電圧が、プリセットされた臨界値を下回った場合、BQ25504 はバッテリ・グッド・フラグを切り替え、接続されているマイクロプロセッサに通知します。この警告により、システムが低電圧条件に入らないように負荷電流制限がトリガされます。OV、UV、バッテリ・グッドのスレッショルドは、別々にプログラム可能です。

BQ25504 のすべての機能は、省スペース型の 16 ピン、3mm × 3mm VQFN パッケージに納められています。