DRV8220 デバイスにはパワー MOSFET が内蔵されており、大電流を駆動できるため、レイアウト設計と外部部品の配置には細心の注意を払う必要があります。設計とレイアウトに関する指針は以下のとおりです。レイアウトに関する推奨事項の詳細については、『モータードライバの基板レイアウトのベスト・プラクティス』(英語) をご覧ください。
- VM と GND 間バイパス・コンデンサには、低 ESR のセラミック・コンデンサを使用する必要があります。X5R および X7R タイプを推奨します。
- ループ・インダクタンスを最小限に抑えるため、VM 電源コンデンサは、デバイスにできるだけ近く配置する必要があります。
- VM 電源バルク・コンデンサはセラミックまたは電解タイプとすることができますが、やはりループ・インダクタンスを最小限に抑えるため、デバイスにできるだけ近付けて配置する必要があります。
- VM、OUT1、OUT2、GND は電源から出力へ大電流を供給し、グランドに戻します。これらのトレースには、実現可能であれば、太い金属配線を使用する必要があります。
- GND は、PCB のグランド・プレーンに直接接続する必要があります。
- PCB のヒートシンクを最大限に確保するため、本デバイスのサーマル・パッドは、PCB 上層のグランド・プレーン (と、利用可能な場合、サーマル・ビアを介して内部グランド・プレーン) に取り付ける必要があります。
- 最適なヒートシンクを実現するために、サーマル・パッドを取り付ける銅プレーンの面積はできるだけ大きくする必要があります。