JAJSKW8A April   2020  – June 2021

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     端子機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
      1. 6.5.1 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 ブリッジの制御
      2. 7.3.2 電流レギュレーション
      3. 7.3.3 ディケイ・モード
        1. 7.3.3.1 ミックス・ディケイ
        2. 7.3.3.2 ファースト・ディケイ
        3. 7.3.3.3 スマート・チューン・ダイナミック・ディケイ
        4. 7.3.3.4 スマート・チューン・リップル・コントロール
        5. 7.3.3.5 ブランキング時間
      4. 7.3.4 チャージ･ポンプ
      5. 7.3.5 リニア電圧レギュレータ
      6. 7.3.6 論理およびクワッドレベル・ピン構造図
        1. 7.3.6.1 nFAULT ピン
      7. 7.3.7 保護回路
        1. 7.3.7.1 VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.7.2 VCP 低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.7.3 過電流保護 (OCP)
        4. 7.3.7.4 サーマル・シャットダウン (OTSD)
        5.       フォルト条件のまとめ
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 スリープ・モード (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 動作モード (nSLEEP = 1)
      3. 7.4.3 nSLEEP リセット・パルス
      4.      機能モードのまとめ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 電流レギュレーション
          1. 8.2.2.1.1 消費電力および熱に関する計算
          2. 8.2.2.1.2 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク容量の決定
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 11.3 サポート・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

標準値は TA = 25℃、VVM = 24V での値です。特に記述のない限り、すべての限界値は推奨動作条件の全範囲を満たすものとします。
パラメータテスト条件最小標準最大単位
電源 (VM、DVDD)
IVMVM 動作電源電流nSLEEP = 1、モータ負荷なし

4

5.5mA
IVMQVM スリープ・モード電源電流nSLEEP = 024μA
tSLEEPスリープ時間nSLEEP = 0 でスリープモード

120

μs
tRESETnSLEEP リセット・パルスnSLEEP = Low でフォルトをクリア

20

40

μs
tWAKEウェークアップ時間nSLEEP = 1 で出力遷移0.81.2ms
tONターンオン時間VM > UVLO で出力遷移0.81.2ms
VDVDD内部レギュレータ電圧外部負荷なし、6V < VVM < 48V4.7555.25V
外部負荷なし、

VVM = 4.5V

4.2

4.35

V

チャージ・ポンプ (VCP、CPH、CPL)
VVCPVCP 動作電圧6V < VVM < 48VVVM +5V
f(VCP)チャージ・ポンプ・スイッチング周波数VVM > UVLO、nSLEEP = 1360kHz
ロジック・レベル入力 （PH、EN、IN1、IN2、nSLEEP）
VIL入力論理 Low 電圧00.6V
VIH入力論理 High 電圧1.55.5V
VHYS入力論理ヒステリシス150mV
IIL入力論理 Low 電流VIN = 0V–11μA
IIH入力論理 High 電流VIN = 5V100μA
tPD伝搬遅延PH、EN、INx 入力から電流が変化するまで800ns
クワッドレベル入力 (DECAY、TOFF)
VI1入力論理 Low 電圧GND に接続00.6V
VI2330kΩ ± 5% を GND との間に接続11.251.4V
VI3入力ハイ・インピーダンス電圧ハイ・インピーダンス (GND との間の抵抗値が 500kΩ よりも大きい)1.822.2V
VI4入力論理 High 電圧DVDD に接続2.75.5V
IO出力プルアップ電流10μA
制御出力 (nFAULT)
VOL出力論理 Low 電圧IO = 5mA0.5V
IOH出力論理 High リーク電流–11μA
モータ・ドライバ出力 (OUT1、OUT2)
RDS(ONH)ハイサイド FET オン抵抗TJ = 25℃、IO = -1A82100mΩ
TJ = 125℃、IO = -1A125150mΩ
TJ = 150℃、IO = -1A140175mΩ
RDS(ONL)ローサイド FET オン抵抗TJ = 25℃、IO = 1A82100mΩ
TJ = 125℃、IO = 1A125150mΩ
TJ = 150℃、IO = 1A140175mΩ
tSR出力スルーレートVM = 24V、IO = 1A、10% と 90% の間240V/µs
電流レギュレーション (VREF)
IVREFVREF リーク電流VREF = 3.3V

8.25

μA
tOFFPWM オフ時間TOFF = 07μs
TOFF = 116
TOFF = ハイ・インピーダンス24
TOFF = 330kΩ を GND との間に接続32

ΔITRIP

ITRIP 電流精度

0.5A < ITRIP < 1A

-12

12

%

1A < ITRIP < 2A

-6

6

2A < ITRIP < 5A

-4

4

保護回路
VUVLOVM 低電圧誤動作防止 (UVLO)VM 立ち下がり、UVLO 立ち下がり4.14.254.35V
VM 立ち上がり、UVLO 立ち上がり4.24.354.45
VUVLO,HYS低電圧ヒステリシス立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド100mV
VCPUVチャージ・ポンプ低電圧VCP 立ち下がりVVM + 2V
IOCP過電流保護FET を流れる電流8A
tOCP過電流グリッチ除去時間2μs
TOTSDサーマル・シャットダウンダイ温度 TJ150165180°C
THYS_OTSD過熱保護閾値ヒステリシスダイ温度 TJ20°C